公开(公告)号：CN117539079A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311427743.2

申请日：2023-10-31

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 谢仕锋 ,  杨佳宇 ,  李跃 ,  杨万里 ,  欧阳竑 ,  谢佳一

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02B27/00

Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种t型电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层，光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电为t型金属电极，可有效降低电损耗，获得高带宽，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用0.2um的二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，t型电极铌酸锂电光调制器在1cm调制长度下实现了近1.4V的半波电压，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。