公开(公告)号：CN110831950B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201880042110.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F17/00 ,  C07F11/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供下述通式(1)表示的钨化合物(式中，X表示卤原子，R1～R5各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R6表示叔丁基或叔戊基，R7表示碳数1～5的烷基；但是，当R1～R5全部为氢原子且R6为叔丁基时、以及当R1～R5全部为甲基且R6为叔丁基时，R7表示碳数1～3或5的烷基)。

公开(公告)号：CN113402544A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110210695.6

申请日：2021-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金在员 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  真锅芳树 ,  青木雄太郎 ,  内生藏广幸 ,  布施若菜

IPC: C07F9/09 ,  C07F9/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 公开了有机金属加成化合物以及制造集成电路(IC)器件的方法，该有机金属加成化合物由通式(I)表示：通式(I)在通式(I)中，R1、R2和R3各自独立地为C1至C5烷基，R1、R2和R3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，M为铌原子、钽原子或钒原子，X为卤素原子，m为3至5的整数，并且n为1或2。

公开(公告)号：CN114787168B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202080082238.7

申请日：2020-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 斋藤昭夫 ,  青木雄太郎

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及一种化合物，其由下述通式(1)或(2)表示。(式(1)中，R1～R4各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R5和R6各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，M1表示镓原子或铟原子。)(式(2)中，R7～R10各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R11表示氢原子或碳数1～5的烷基，M2表示镓原子或铟原子。)

公开(公告)号：CN116210072A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180053507.1

申请日：2021-08-23

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 青木雄太郎 ,  木村将之 ,  山下敦史

IPC: H01L21/302

Abstract: 蚀刻方法，是通过原子层蚀刻法对含有基体和在其表面形成的金属氧化膜的层叠体中的该金属氧化膜进行蚀刻的方法，其具有：在收容了该层叠体的处理气氛内导入选自醇化合物、醛化合物及酯化合物中的至少一种的被氧化性化合物的第1工序；和在该第1工序后在该处理气氛内导入氧化性气体的第2工序。

公开(公告)号：CN112341489A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN109134546A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/30 ,  C07F11/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  C07F11/005 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。

公开(公告)号：CN112341489B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]#imgabs0#其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN115819449A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211124085.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  金在员 ,  原野一树 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  青木雄太郎 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  布施若菜 ,  真锅芳树 ,  内生蔵广幸 ,  木村将之 ,  吉井崇洋

IPC: C07F9/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种有机金属加合化合物和一种制造集成电路装置的方法，所述有机金属加合化合物由通式(I)表示：

公开(公告)号：CN109134546B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。

公开(公告)号：CN114787168A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080082238.7

申请日：2020-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 斋藤昭夫 ,  青木雄太郎

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及一种化合物，其由下述通式(1)或(2)表示。(式(1)中，R1～R4各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R5和R6各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，M1表示镓原子或铟原子。)(式(2)中，R7～R10各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R11表示氢原子或碳数1～5的烷基，M2表示镓原子或铟原子。)