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公开(公告)号：CN110831950B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201880042110.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07F17/00 , C07F11/00 , C23C16/40 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供下述通式(1)表示的钨化合物(式中，X表示卤原子，R1～R5各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R6表示叔丁基或叔戊基，R7表示碳数1～5的烷基；但是，当R1～R5全部为氢原子且R6为叔丁基时、以及当R1～R5全部为甲基且R6为叔丁基时，R7表示碳数1～3或5的烷基)。
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公开(公告)号：CN112341489A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010585301.0
申请日：2020-06-23
Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。
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公开(公告)号：CN109134546A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810556182.9
申请日：2018-05-31
IPC: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/30 , C07F11/00 , C23C16/405 , C23C16/45553 , C07F11/005 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。
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公开(公告)号：CN114787168B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202080082238.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 株式会社ADEKA
Abstract: 本发明涉及一种化合物，其由下述通式(1)或(2)表示。(式(1)中，R1～R4各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R5和R6各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，M1表示镓原子或铟原子。)(式(2)中，R7～R10各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R11表示氢原子或碳数1～5的烷基，M2表示镓原子或铟原子。)
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公开(公告)号：CN111943978A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010407574.6
申请日：2020-05-14
Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3-C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111943978B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010407574.6
申请日：2020-05-14
IPC: C07F9/00 , H01L21/3205
Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112341489B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010585301.0
申请日：2020-06-23
Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]#imgabs0#其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。
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公开(公告)号：CN109134546B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201810556182.9
申请日：2018-05-31
IPC: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。
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公开(公告)号：CN114787168A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080082238.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 株式会社ADEKA
Abstract: 本发明涉及一种化合物，其由下述通式(1)或(2)表示。(式(1)中，R1～R4各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R5和R6各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，M1表示镓原子或铟原子。)(式(2)中，R7～R10各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R11表示氢原子或碳数1～5的烷基，M2表示镓原子或铟原子。)
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