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公开(公告)号：CN101691656B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910132938.8
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。
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公开(公告)号：CN101691657A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN100575542C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710192798.4
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70%以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-La体系金属间化合物的总面积为70%以上，所述Al-La体系金属间化合物主要由Al和La组成。
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公开(公告)号：CN102985358B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180031772.6
申请日：2011-06-27
CPC classification number: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
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公开(公告)号：CN102498233A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041069.9
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/3414 , G11B2007/24302 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种对于含有金属氧化物和金属的光信息记录媒体用记录层等的形成有用的金属氧化物-金属复合溅射靶。本发明的溅射靶是含有金属氧化物A和金属B的金属氧化物-金属复合溅射靶，所述金属氧化物A的当量圆直径的最大值控制在200μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101691656A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132938.8
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。
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公开(公告)号：CN103201232A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180054499.9
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C04B35/00 , C04B35/457 , C23C14/34
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。
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公开(公告)号：CN102985358A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180031772.6
申请日：2011-06-27
CPC classification number: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
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公开(公告)号：CN101353779B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN101187007A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192798.4
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al－Ni－La体系Al－基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－La体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－La体系金属间化合物主要由Al和La组成。
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