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公开(公告)号：CN102102183B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010597854.4
申请日：2010-12-16
Abstract: 提供一种Al基合金溅射靶，其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升)，可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其中，以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时，算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下，以及最大高度Rz为10μm以下，并且，将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q，跨越基准长度100mm，依次计数P和Q时，P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
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公开(公告)号：CN101691656B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910132938.8
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。
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公开(公告)号：CN102102183A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010597854.4
申请日：2010-12-16
Abstract: 提供一种Al基合金溅射靶，其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升)，可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其中，以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时，算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下，以及最大高度Rz为10μm以下，并且，将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q，跨越基准长度100mm，依次计数P和Q时，P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
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公开(公告)号：CN101691656A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132938.8
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。
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公开(公告)号：CN102041479B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010522145.X
申请日：2010-10-22
Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101691657A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN102051504A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010529527.5
申请日：2010-10-28
Abstract: 本发明提供一种Al基合金溅射靶，其对于形成低布线电阻和抗小丘性优异的金属薄膜有用，优选还能够抑制溅射时的飞溅发生。本发明涉及Al基合金溅射靶，其含有Fe为0.0010～0.4质量％和Si为0.0010～0.50质量％。
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公开(公告)号：CN101353779B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN102770576A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010694.1
申请日：2011-02-25
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00
Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al基合金溅射靶时，即使进行高速成膜也能够抑制飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有Ni和稀土元素，在利用背散射电子衍射像法对上述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t(t：Al基合金溅射靶的厚度)部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位 、 、 、 及 进行观察时，满足以下要件：(1)在将上述 ±15°、上述 ±15°及上述 ±15°的总面积率设为R(各处的R中，上述表层部为Ra，上述1/4×t部为Rb，上述1/2×t部为Rc)时，R为0.35以上且0.80以下，并且，(2)上述Ra、上述Rb及上述Rc在R平均值[Rave＝(Ra+Rb+Rc)/3]的±20％的范围内。
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公开(公告)号：CN101691657B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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