公开(公告)号：CN109678510A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811625389.3

申请日：2018-12-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第十八研究所

Inventor： 张丽丽 ,  阎勇 ,  王泽深

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/653

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明公开了一种电中性掺杂的GeTe基赝三元温差电材料及其制备方法，在GeTe基赝三元温差电材料中掺杂电中性碲化铋Bi2Te3。该材料的分子式为(GeTe)0.8-y(Mn0.6Pb0.4Te)0.2(Bi2Te3)y，其中y为0.015～0.04，y为原子数。按照分子式进行原材料配制；采用中频熔炼的方法进行合金固溶体熔炼，温度800℃～1000℃，时间40min～60min；对熔炼好的合金固溶体进行粉碎过200目筛；采用热压工艺进行材料成型，压力30MPa～60MPa，温度500℃～650℃，保温保压时间40min～60min；对成型后材料进行热处理，热处理温度400℃～520℃，处理时间360min～720min。本发明掺杂具有“自补偿效应”的电中性Bi2Te3，改变相转变温度；同时提高材料的机械强度。

公开(公告)号：CN108675792A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810569764.0

申请日：2018-06-05

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 李焕勇 ,  郗鹏飞 ,  任晓宇

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565

Abstract: 本发明涉及一种反应热压烧结制备CaLa2S4红外透明陶瓷的方法，利用反应烧结实现陶瓷成型，制备出了高稳定性、高致密度和高透过率的CaLa2S4红外透明陶瓷。与现有陶瓷烧结技术相比，该方法利用了多硫化物LaS2的热分解形成CaLa2S4纳米粒子原位活化热压成型技术，同时热分解释放S有效弥补了烧结过程中的硫缺失，有效解决了CaLa2S4陶瓷烧结时易氧化、烧结时间长和难烧结的难题。同时该技术工艺简单、效率高，适合于批量制备CaLa2S4红外透明陶瓷，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN108191431A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810107221.7

申请日：2018-02-02

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 黄亮 ,  裴渊韬 ,  张海军 ,  韩磊 ,  张少伟

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/65 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/42

Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫化物及其制备方法。其技术方案是：将尺寸相同的铝箔和目标金属箔或将尺寸相同的铝箔和两种目标金属箔各一片浸于无水乙醇中，超声清洗，干燥，对齐堆放，得到堆放齐整的金属箔；调整二辊轧机辊缝为0.1mm，将堆放齐整的金属箔共反复对折和轧制15~50次，再于侵蚀剂中浸泡12~48h，过滤，在乙醇溶液中超声处理，取悬浮液，离心和过滤两次，干燥，即得目标二维过渡金属箔；最后将底部铺有目标二维过渡金属箔的瓷舟置于真空管式炉恒温区的下风向，将底部铺有升华硫的瓷舟置于真空管式炉恒温区的上风向；流通氩气和300~800℃条件下保温3~12h，即得二维过渡金属硫化物。本发明生产效率高、工艺简单和产物厚度可控。

公开(公告)号：CN107112407A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072115.4

申请日：2015-12-16

Applicant: 阿尔法贝特能源公司

Inventor： 琳赛·米勒 ,  约翰·P·赖芬贝格 ,  道格拉斯·克兰 ,  亚当·洛里默 ,  马里奥·阿吉雷 ,  乔丹·蔡斯 ,  马修·L·斯卡林

IPC: H01L35/16

CPC classification number: H01L35/32 ,  C04B35/547 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/446 ,  H01L35/04 ,  H01L35/16 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/5116

Abstract: 在一方面，结构包括黝铜矿基底；第一接触金属层，其被布置在黝铜矿基底上面并且与黝铜矿基底直接接触；以及第二接触金属层，其被布置在第一接触金属层上面。热电装置可以包含此类结构。在另一方面，方法包括提供黝铜矿基底；将第一接触金属层布置在黝铜矿基底上面并且与黝铜矿基底直接接触；以及将第二接触金属层布置在第一接触金属层上面。制作热电装置的方法可以包括此类方法。

公开(公告)号：CN106431407A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610844233.9

申请日：2016-09-23

Applicant: 电子科技大学 ,  四川大学

Inventor： 陈远富 ,  刘科 ,  郑斌杰 ,  戚飞 ,  王新强 ,  吴京军 ,  贺端威 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/65

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786

Abstract: 本发明公开了一种利用高温超高压制备片状二硒化铂的方法，属于功能材料制备技术领域。本发明直接以单质铂和硒粉为原料，无需任何反应助剂，在高温高压下合成；本发明可通过控制合成温度和压力来调整产品的纯度，并制备出纯相、结晶性能良好、大晶粒尺寸的块体状二硒化铂(PtSe2)；本发明主要包括样品处理、样品组装、高温高压反应和退火去硒这四个步骤，制备方法简单、制备同期短，制得的二硒化铂(PtSe2)结晶性好、晶粒大，适合工业化大规模生产；本发明发展了新型的二维半导体制备方法，为二硒化铂等过渡金属硫族化合物的可控制备，以及相关二维材料在光电子器件和催化剂方面的潜在应用提供了可靠的制备手段，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103562127B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280023369.3

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  H01L35/16 ,  H01L31/032

CPC classification number: C01G51/006 ,  C01B19/002 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/9607 ,  H01L35/18

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQz，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种，0

公开(公告)号：CN105693248A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201511002673.1

申请日：2015-12-25

Applicant: 清远先导材料有限公司

Inventor： 胡智向 ,  朱刘 ,  刘留

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明提供一种硫化镉靶材制备方法，将硫化镉粉体装入模具中预压成型，得到预压后的硫化镉粉体；将所述预压后的硫化镉粉体装入热压烧结炉内，热压真空烧结，得到硫化镉靶材。本发明硫化镉靶材的制备，烧结与压制是在同一台设备，同一个工艺中同时进行的，中间环节和操作步骤少，对靶材和环境的污染小；使用高纯硫化镉粉体作为原料，不需要用到氯化镉做助溶剂，靶材纯度高。本发明还提供一种硫化镉靶材制备装置。

公开(公告)号：CN104797685A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380059526.0

申请日：2013-10-31

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： C·R·龙达 ,  J·G·博尔里坎普 ,  S·J·M·P·斯普尔 ,  A-M·A·范东恩 ,  H·K·维乔雷克 ,  W·C·科尔

IPC: C09K11/80

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C04B35/01 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/764 ,  G01T1/2006 ,  G01T1/2023 ,  G01T1/2985

Abstract: 本发明涉及闪烁体材料，其包含掺杂有铈的闪烁体主体材料。所述闪烁体主体材料是选自：i)石榴石、ii)CaGa2S4、iii)SrGa2S4、iv)BaGa2S4、v)CaS、vi)SrS中的至少一种；铈的含量被控制在0.1摩尔％至1.0摩尔％的范围内。所述材料可以用于伽玛光子检测器中的伽玛光子检测，以及用于PET成像系统中。

公开(公告)号：CN102741458A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201080049913.2

申请日：2010-09-08

Applicant: 西安大略大学

Inventor： 刘焕明 ,  丁志峰 ,  大卫·安东尼·洛夫 ,  穆罕默德·哈拉迪 ,  杨军

IPC: C25D3/38 ,  B32B15/00 ,  B32B18/00 ,  C25D3/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C25D3/66 ,  C25D3/665 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明描述了生产光伏太阳能电池的方法，所述光伏太阳能电池具有化学计量p型铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2)(简写为CIGS)作为其吸收层和II-VI半导体层作为n型层，并电沉积所有这些层。所述方法包括采用离子液体方法的一系列新步骤和电沉积条件以克服本领域的技术挑战用于低成本和大面积生产CIGS太阳能电池，与现有技术相比所述方法具有下列创新优点：(a)以一锅法低成本并大面积电沉积CIGS而不需要沉积后的热烧结或硒化；(b)低成本并大面积电沉积n型II-VI半导体用于完成所述CIGS太阳能电池生产；以及(c)采用简单化学浴方法低成本并大面积沉积CdS或其它化合物的缓冲层。

公开(公告)号：CN102208521A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110090653.X

申请日：2005-05-25

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·O·穆勒 ,  R·B·穆勒-马克 ,  M·R·克拉默斯 ,  P·J·施米特 ,  H·贝克特尔 ,  J·迈耶 ,  J·德格拉夫 ,  T·A·科普

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  C04B35/44 ,  C09K11/80

CPC classification number: H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

Abstract: 包括沉积在n型区和p型区之间的发光层的半导体发光器件与沉积在发光层发出的光的路径上的陶瓷层结合。该陶瓷层包括一种波长转换材料例如磷光体。根据发明实施方式的发光陶瓷层比现有技术的磷光体层对温度具有更强的鲁棒性或更弱的敏感性。另外，发光陶瓷比现有技术的磷光体层显示出更少的散射并从而提高了转换效率。