-
公开(公告)号：CN102102183B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010597854.4
申请日：2010-12-16
Abstract: 提供一种Al基合金溅射靶，其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升)，可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其中，以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时，算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下，以及最大高度Rz为10μm以下，并且，将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q，跨越基准长度100mm，依次计数P和Q时，P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
-
公开(公告)号：CN101691656B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910132938.8
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。
-
公开(公告)号：CN103415488B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201280011369.1
申请日：2012-03-01
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，其兼具较高的导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法制造也能长时间稳定地进行放电。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和从由A1、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，将利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。
-
公开(公告)号：CN102102183A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010597854.4
申请日：2010-12-16
Abstract: 提供一种Al基合金溅射靶，其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升)，可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其中，以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时，算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下，以及最大高度Rz为10μm以下，并且，将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q，跨越基准长度100mm，依次计数P和Q时，P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
-
公开(公告)号：CN101691656A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132938.8
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103298767B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280005106.X
申请日：2012-02-09
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/453 , C04B35/457
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/086
Abstract: 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。
-
公开(公告)号：CN103415488A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280011369.1
申请日：2012-03-01
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，其兼具较高的导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法制造也能长时间稳定地进行放电。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和从由A1、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，将利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。
-
公开(公告)号：CN103380099A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280007841.4
申请日：2012-02-09
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/00 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及溅射标靶，适用于显示装置用氧化物半导体膜的制造的氧化物烧结体兼备高的导电性和相对密度，能够成膜具有高的载流子迁移率的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，当对所述氧化物烧结体进行基于EPMA的面内组成映射时，在测定面积中所占的、Sn浓度为10～50质量％的区域的比率是70面积％以上。
-
公开(公告)号：CN102041479B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010522145.X
申请日：2010-10-22
Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。
-
公开(公告)号：CN101691657A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
