公开(公告)号：CN106169408B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201610290762.9

申请日：2016-05-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 渡边义雄 ,  S·米兰 ,  高桥宏行 ,  关刚史

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置，其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括：真空腔(4)；能够旋转的静电卡盘台(34)，其在真空腔内保持被加工物(11)；喷嘴(50)，其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C)；喷嘴摆动单元(86)，其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动；以及控制单元(48、88)，它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置，在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。

公开(公告)号：CN106169408A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610290762.9

申请日：2016-05-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 渡边义雄 ,  S·米兰 ,  高桥宏行 ,  关刚史

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置，其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括：真空腔(4)；能够旋转的静电卡盘台(34)，其在真空腔内保持被加工物(11)；喷嘴(50)，其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C)；喷嘴摆动单元(86)，其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动；以及控制单元(48、88)，它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置，在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。