公开(公告)号：CN117393461A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310819544.X

申请日：2023-07-05

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 和田健太郎

IPC: H01L21/67 ,  B08B13/00 ,  B08B3/02

Abstract: 本发明提供清洗装置，其无需在卡盘工作台的下侧设置追加的构成要素而能够抑制雾附着于清洗室的顶棚。使经由连通部件而与清洗室连通的吸引源进行动作，该连通部件具有在与卡盘工作台的保持面相同或比卡盘工作台的保持面靠下侧的位置朝下开口的前端部，由此在位于卡盘工作台的周围的空间(第1空间)中产生下降流。由此，无需在卡盘工作台的下侧设置追加的构成要素而能够抑制雾附着于清洗室的顶棚。

公开(公告)号：CN116581052A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310094117.X

申请日：2023-02-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 和田健太郎

IPC: H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  B08B13/00

Abstract: 本发明提供清洗装置，其能够可靠地去除附着于工件的异物。该清洗装置对工件进行清洗，其中，该清洗装置具有：保持单元，其对工件的外周部进行保持；旋转机构，其使保持单元旋转；以及清洗单元，其对工件的背面侧进行清洗，清洗单元具有：清洗部件，其与工件的背面侧接触；以及驱动机构，其使清洗部件相对于工件的背面侧接近和远离。

公开(公告)号：CN114334814A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111098074.X

申请日：2021-09-18

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 横尾晋 ,  高桥宏行 ,  和田健太郎 ,  渡边义雄 ,  冈崎健志 ,  西田吉辉

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，即使实施等离子蚀刻而分割成器件芯片，也不会使氟元素残留在划片带上，能够消除在后续工序中成为污染源的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：树脂膜覆盖工序，在晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于晶片与框架之间的划片带上覆盖水溶性树脂(P)，并使水溶性树脂固化，从而形成树脂膜；局部树脂膜去除工序，从晶片的待分割的区域将树脂膜去除而使晶片的上表面局部地露出；蚀刻工序，对晶片的待分割的区域实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个芯片；以及全部树脂膜去除工序，对框架单元进行清洗而将树脂膜全部去除。

公开(公告)号：CN112530801A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010972662.0

申请日：2020-09-16

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 渡边义雄 ,  高桥宏行 ,  和田健太郎

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供被加工物的加工方法，能够抑制装置的大型化，并且被加工物能够将蚀刻中施加的高热排出。被加工物的加工方法从吸引路向保持面作用负压而利用卡盘工作台对被加工物进行吸引保持，使真空腔室内的气压减压至能够实现低压等离子且能够利用卡盘工作台对被加工物进行吸引保持的50Pa以上且5000Pa以下，一边对被加工物进行吸引保持一边向被加工物提供等离子状态的惰性气体，对配置于卡盘工作台的电极施加电压而利用卡盘工作台对被加工物进行静电吸附，提供等离子状态的加工用气体而对被加工物进行干蚀刻。

公开(公告)号：CN113334196A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110223840.4

申请日：2021-03-01

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 力石利康 ,  和田健太郎

IPC: B24B19/16 ,  B24B41/06 ,  B24B47/12 ,  B24B27/00 ,  B24B55/00 ,  B23B5/00

Abstract: 本发明提供微调螺钉装配体和加工装置，适当地测量对磨削磨具的加工工具施加的载荷。微调螺钉装配体设置成将第1部件和第2部件隔开间隔地连结，能够调整第1部件与第2部件之间的距离，并且能够检测施加于第2部件的载荷。微调螺钉装配体包含：第1外螺纹，其能够拧入形成于该第1部件的第1内螺纹；第2外螺纹，其在第1外螺纹的轴向的延长线上与第1外螺纹分离地配置，能够拧入形成于第2部件的第2内螺纹，该第2内螺纹具有与第1内螺纹的螺距不同的螺距；连结部，其将相互分离的第1外螺纹和第2外螺纹连结成一体；以及载荷传感器，其被施加压缩载荷而收纳在连结部的内部。

公开(公告)号：CN112289745A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010650925.6

申请日：2020-07-08

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 高桥宏行 ,  和田健太郎 ,  渡边义雄 ,  横尾晋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制晶片的外周的粘接带或环状框架被干蚀刻加工。晶片的加工方法具有如下的步骤：框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元；框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的静电卡盘工作台隔着粘接带而对框架单元的晶片进行吸引保持；遮蔽步骤，利用罩部件将环状框架和粘接带的环状区域覆盖，相对于外部空间进行遮蔽；以及干蚀刻步骤，在实施了框架单元保持步骤和遮蔽步骤之后，向蚀刻腔室提供气体而对晶片进行干蚀刻。