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公开(公告)号：CN114334814A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111098074.X
申请日：2021-09-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，即使实施等离子蚀刻而分割成器件芯片，也不会使氟元素残留在划片带上，能够消除在后续工序中成为污染源的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：树脂膜覆盖工序，在晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于晶片与框架之间的划片带上覆盖水溶性树脂(P)，并使水溶性树脂固化，从而形成树脂膜；局部树脂膜去除工序，从晶片的待分割的区域将树脂膜去除而使晶片的上表面局部地露出；蚀刻工序，对晶片的待分割的区域实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个芯片；以及全部树脂膜去除工序，对框架单元进行清洗而将树脂膜全部去除。
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公开(公告)号：CN112490190A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010933777.9
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够抑制器件芯片的抗弯强度降低。该晶片的加工方法是在正面侧具有功能层的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：激光加工步骤，照射激光束而沿着间隔道将功能层去除，并且沿着间隔道形成激光加工槽；切削槽形成步骤，利用切削刀具对晶片进行切削，沿着间隔道在激光加工槽的内侧形成切削槽；磨削步骤，对晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化，使切削槽在晶片的背面侧露出而将晶片分割成多个器件芯片；以及加工应变去除步骤，向晶片的背面侧提供等离子状态的气体，将形成于多个器件芯片的背面侧和侧部的加工应变去除，在加工应变去除步骤中，将形成于激光加工槽的周边的热影响层去除。
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公开(公告)号：CN110364482B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910260665.9
申请日：2019-04-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , B23K26/08 , B23K26/38
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：沿着形成有图案的间隔道照射激光束，将图案去除并且形成深度超过晶片的完工厚度的激光加工槽；将保护部件粘贴于形成有激光加工槽的晶片的正面侧；对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使激光加工槽在晶片的背面露出，从而将晶片分割成多个器件芯片；将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除；以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被去除的晶片的背面侧形成应变层。
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公开(公告)号：CN111261580B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201911139490.2
申请日：2019-11-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供晶片的加工方法，使对晶片进行加工而制造器件芯片的工序简化。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片埋设有贯通电极，形成有覆盖贯通电极的第1绝缘膜，其中，晶片的加工方法具有如下步骤：磨削步骤，按照覆盖贯通电极的第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从背面侧磨削晶片；电极突出步骤，对晶片的背面进行蚀刻而使被第1绝缘膜覆盖的贯通电极在背面侧突出；应变层形成步骤，对贯通电极已突出的该晶片的背面提供等离子化的惰性气体，在晶片的背面上形成应变层；绝缘膜形成步骤，在晶片的背面上形成第2绝缘膜；和电极形成步骤，在与贯通电极重叠的区域中，将第1绝缘膜和第2绝缘膜去除，形成与在晶片的背面侧露出的贯通电极连接的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN110364481A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910260247.X
申请日：2019-04-02
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：沿着形成有图案的间隔道照射激光束，将图案去除，并且形成激光加工槽；在激光加工槽的内侧形成深度超过晶片的完工厚度的切削槽；对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使切削槽在晶片的背面露出，从而将晶片分割成多个器件芯片；将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除；以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被去除的晶片的背面侧形成应变层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364481B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201910260247.X
申请日：2019-04-02
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：沿着形成有图案的间隔道照射激光束，将图案去除，并且形成激光加工槽；在激光加工槽的内侧形成深度超过晶片的完工厚度的切削槽；对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使切削槽在晶片的背面露出，从而将晶片分割成多个器件芯片；将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除；以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被去除的晶片的背面侧形成应变层。
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公开(公告)号：CN117438375A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310842055.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/304 , B08B3/08
Abstract: 本发明提供被加工物的加工方法，利用清洗液充分地实施包覆于被加工物的保护膜的去除以及被加工物、支承被加工物的支承部件和环状框架的清洗。被加工物的加工方法包含如下的步骤：保护膜包覆步骤，利用保护膜包覆晶片的正面；保护膜去除步骤，将该保护膜沿着分割预定线局部地去除；分割步骤，提供等离子体状态的第1气体并沿着分割预定线将晶片分割成多个芯片；亲水化步骤，对通过分割步骤而疏水化的芯片的正面、侧面、露出的粘接带以及环状框架中的至少任意一方提供等离子体状态的第2气体而进行亲水化；以及清洗步骤，在亲水化步骤之后，利用清洗液去除保护膜去除并且清洗框架单元。
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公开(公告)号：CN109256355B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810744977.2
申请日：2018-07-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供静电卡盘，该静电卡盘抑制了在带与保持面之间产生气泡，防止带灼烧。静电卡盘(4)利用保持面(41)对在下表面粘贴有带(T)的晶片(W)进行保持，该静电卡盘(4)包含：多个细孔凸(D)，其形成在保持面上，与多个细孔连接；以及电极(44)，其配设在该静电卡盘(4)的内部。在使细孔与吸引源连通而对晶片进行吸引保持时，凹凸成为保持面上的吸引路。(40)，它们形成于保持面，与吸引源(43)连通；凹
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公开(公告)号：CN111261580A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911139490.2
申请日：2019-11-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供晶片的加工方法，使对晶片进行加工而制造器件芯片的工序简化。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片埋设有贯通电极，形成有覆盖贯通电极的第1绝缘膜，其中，晶片的加工方法具有如下步骤：磨削步骤，按照覆盖贯通电极的第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从背面侧磨削晶片；电极突出步骤，对晶片的背面进行蚀刻而使被第1绝缘膜覆盖的贯通电极在背面侧突出；应变层形成步骤，对贯通电极已突出的该晶片的背面提供等离子化的惰性气体，在晶片的背面上形成应变层；绝缘膜形成步骤，在晶片的背面上形成第2绝缘膜；和电极形成步骤，在与贯通电极重叠的区域中，将第1绝缘膜和第2绝缘膜去除，形成与在晶片的背面侧露出的贯通电极连接的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN111584352A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010088142.3
申请日：2020-02-12
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴保护带；磨削步骤，隔着保护带将晶片保持在卡盘工作台上，对晶片的背面侧进行磨削而薄化至规定的厚度；研磨步骤，利用研磨垫对通过磨削步骤进行了磨削的晶片的背面侧进行研磨，将通过磨削步骤而形成的破碎层去除；以及等离子体加工步骤，向通过研磨步骤进行了研磨的晶片的背面侧提供处于等离子体状态的惰性气体，将晶片的背面侧的加工应变的表层去除。
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