-
公开(公告)号：CN107039342A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611242081.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法。该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘贴步骤(S11)，在晶片(W)的正面(WS)侧粘贴保护带(T)；环状加强部形成步骤(S12)，在保护带粘贴步骤之后，将与器件区域(WA)对应的背面(WR)磨削至第1厚度(t1)，在与外周剩余区域(WB)对应的背面形成环状的加强部(WC)；改质层形成步骤(S13)，在环状加强部形成步骤之后，将激光束(L)定位在晶片的器件区域的内部而从晶片的背面沿着分割预定线在晶片的器件区域的内部形成改质层(K)；以及磨削步骤(S14)，在改质层形成步骤之后，从晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至完工厚度(t2)，通过磨削动作以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割。
-
公开(公告)号：CN110620038B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910499974.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 松冈祐哉
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 提供被加工物的加工方法，在以被加工物内部的改质层为起点而分割被加工物的加工方法中使磨削屑不附着于芯片侧面。该方法包含如下步骤：从背面(Wb)侧沿着分割预定线(S)照射对于被加工物(W)具有透过性的激光光线(LB1)，形成第一改质层(M1)，该第一改质层未向上下产生龟裂，该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置(Z1)略微靠背面侧的位置；从背面侧沿着分割预定线照射对于被加工物具有透过性的激光光线(LB2)，在比第一改质层靠背面侧的位置形成向上下产生龟裂(Mb、Ma)的第二改质层(M2)；对被加工物的背面进行磨削而将被加工物形成至芯片的完工厚度(H1)，并且以第二改质层为起点将被加工物分割成芯片(C)。
-
公开(公告)号：CN111438580B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202010030425.2
申请日：2020-01-13
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供被加工物的加工方法，效率良好。被加工物的加工方法在对板状的被加工物进行加工时使用，包含如下步骤：保护部件粘贴步骤，在被加工物的正面侧粘贴保护部件；保持步骤，按照被加工物的背面侧露出的方式隔着保护部件利用卡盘工作台的保持面对被加工物的正面侧进行保持；磨削步骤，一边从磨削水提供用喷嘴向卡盘工作台所保持的被加工物的背面侧提供磨削水一边使固定有包含磨粒的磨削磨具的磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，将被加工物的背面侧磨削而使被加工物变薄；和处理步骤，在磨削步骤之后，在停止从磨削水提供用喷嘴提供磨削水的状态下使磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，对被加工物或磨削磨具进行处理。
-
公开(公告)号：CN116525477A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310079601.5
申请日：2023-01-17
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供芯片的检查方法，能够适当地评价通过被加工物的分割而形成的芯片。该芯片的检查方法包含如下的步骤：分割步骤，按照规定的分割加工条件对被加工物进行加工，由此将被加工物分割成多个芯片；拍摄步骤，对芯片的侧面进行拍摄，由此获取表现芯片的侧面的侧面图像；以及检查步骤，将从侧面图像抽取的评价值与阈值进行比较，由此对芯片的状态进行检查。
-
公开(公告)号：CN112420608A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010825811.0
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 松冈祐哉
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明提供多个器件芯片的制造方法，在对被加工物进行磨削而薄化从而分割的情况下防止器件芯片的角部缺损。该方法具有如下步骤：孔形成步骤，向被加工物的正面侧照射具有被被加工物吸收的波长的第1激光束，在多条分割预定线交叉的交叉部形成比相当于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔；正面保护步骤，利用保护部件覆盖被加工物的正面侧；内部加工步骤，将具有透过被加工物的波长的第2激光束的聚光点定位于被加工物的内部，沿着各分割预定线从被加工物的背面侧照射第2激光束，在被加工物的内部形成强度相对较低的区域；和背面侧磨削步骤，对被加工物的背面侧进行磨削直至成为完工厚度为止，将被加工物分割成多个器件芯片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111438580A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010030425.2
申请日：2020-01-13
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供被加工物的加工方法，效率良好。被加工物的加工方法在对板状的被加工物进行加工时使用，包含如下步骤：保护部件粘贴步骤，在被加工物的正面侧粘贴保护部件；保持步骤，按照被加工物的背面侧露出的方式隔着保护部件利用卡盘工作台的保持面对被加工物的正面侧进行保持；磨削步骤，一边从磨削水提供用喷嘴向卡盘工作台所保持的被加工物的背面侧提供磨削水一边使固定有包含磨粒的磨削磨具的磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，将被加工物的背面侧磨削而使被加工物变薄；和处理步骤，在磨削步骤之后，在停止从磨削水提供用喷嘴提供磨削水的状态下使磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，对被加工物或磨削磨具进行处理。
-
公开(公告)号：CN108987325A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810498742.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供保护带的粘贴方法和保护带粘贴装置，将保护带的前端部从剥离纸可靠地剥离并将保护带可靠地粘贴在晶片上。该方法将具有通过紫外线的照射而降低粘接力的粘接层的保护带粘贴在晶片上，包含如下工序：弯折工序，使大小与晶片的大小对应的保护带的粘接层与剥离纸面对而粘贴，使剥离纸弯折并拉拽而将从剥离纸剥离的保护带的前端部粘贴在晶片上；粘贴工序，在实施了弯折工序之后，利用辊对粘接层的相反侧进行按压而使保护带的粘接层与晶片紧贴，进一步拉拽剥离纸，将保护带从剥离纸完全剥离而粘贴在晶片上；和剥离起点形成工序，对保护带的通过实施弯折工序而开始从剥离纸剥离的前端部的区域呈点状照射紫外线而形成剥离起点。
-
公开(公告)号：CN108987325B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810498742.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供保护带的粘贴方法和保护带粘贴装置，将保护带的前端部从剥离纸可靠地剥离并将保护带可靠地粘贴在晶片上。该方法将具有通过紫外线的照射而降低粘接力的粘接层的保护带粘贴在晶片上，包含如下工序：弯折工序，使大小与晶片的大小对应的保护带的粘接层与剥离纸面对而粘贴，使剥离纸弯折并拉拽而将从剥离纸剥离的保护带的前端部粘贴在晶片上；粘贴工序，在实施了弯折工序之后，利用辊对粘接层的相反侧进行按压而使保护带的粘接层与晶片紧贴，进一步拉拽剥离纸，将保护带从剥离纸完全剥离而粘贴在晶片上；和剥离起点形成工序，对保护带的通过实施弯折工序而开始从剥离纸剥离的前端部的区域呈点状照射紫外线而形成剥离起点。
-
公开(公告)号：CN114420620A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111176040.8
申请日：2021-10-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 松冈祐哉
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , B24B7/04 , B24B7/22 , B24B27/00 , B24B41/00 , B24B41/06 , B24B55/06
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法和磨削装置，用于抑制产生保护带从因背面磨削而直径变小的晶片的正面探出所引起的不良情况。一种晶片的加工方法，该晶片在外周形成有倒角部，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴保护带，并且使保护带的直径与晶片的直径相同；磨削步骤，利用磨削磨具对保持工作台所保持的晶片的背面进行磨削而使晶片的厚度薄化成比原本的厚度的一半薄，从而晶片的直径缩小，保护带形成从晶片探出的探出部；以及收缩步骤，在实施了磨削步骤之后，对保护带的探出部进行加热而使探出部收缩。
-
公开(公告)号：CN110620038A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910499974.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 松冈祐哉
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 提供被加工物的加工方法，在以被加工物内部的改质层为起点而分割被加工物的加工方法中使磨削屑不附着于芯片侧面。该方法包含如下步骤：从背面(Wb)侧沿着分割预定线(S)照射对于被加工物(W)具有透过性的激光光线(LB1)，形成第一改质层(M1)，该第一改质层未向上下产生龟裂，该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置(Z1)略微靠背面侧的位置；从背面侧沿着分割预定线照射对于被加工物具有透过性的激光光线(LB2)，在比第一改质层靠背面侧的位置形成向上下产生龟裂(Mb、Ma)的第二改质层(M2)；对被加工物的背面进行磨削而将被加工物形成至芯片的完工厚度(H1)，并且以第二改质层为起点将被加工物分割成芯片(C)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
