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公开(公告)号：CN105390410B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201510542261.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B27/00
Abstract: 本发明提供晶片检查方法以及磨削研磨装置，用于从晶片上去除磨削痕迹以减少晶片的研磨不良。检查研磨加工后的晶片的晶片的检查方法构成为具有如下工序：研磨磨削加工后的晶片；对研磨加工后的晶片的加工面进行拍摄，根据摄像图像生成包括残留于晶片的加工面上的多个磨削痕迹的特性的摄像数据；以及在振幅大于预先规定的规定幅度的情况下，判断为研磨不良，其中，该振幅是对从该摄像工序得到的摄像数据进行傅里叶变换，提取表示磨削痕迹的频率分布，对所提取的频率分布进行傅里叶逆变换而得到的。
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公开(公告)号：CN105489523B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201510622968.2
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66 , H01L21/687
Abstract: 提供一种晶片检查方法和晶片检查装置，能够短时间且高精度地检查晶片的加工面的研磨不良。晶片检查方法具有如下工序：对拍摄晶片(W)的加工面进行拍摄；将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素高的像素提取为特征点而制作第1图像；以及将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素低的像素提取为特征点而制作第2图像，根据第1、第2图像检查晶片的加工面。
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公开(公告)号：CN107452608A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710259926.6
申请日：2017-04-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/78
Abstract: 提供器件的制造方法和磨削装置，在对晶片进行分割而制造出芯片的情况下，在短时间内把握制造出的各芯片的厚度并高效地获得良好芯片。器件(D)的制造方法具有如下工序：磨削工序，利用磨削磨具(740)对具有表示晶体取向的标记(N)而且正面(Wa)由分割预定线(S)划分而形成有器件的晶片(W)的背面(Wb)进行磨削；和分割工序，在磨削工序之后，沿着分割预定线将晶片分割成芯片(C)，其中，该方法包含如下工序：存储工序，从磨削工序之后到分割工序之前，对每个芯片的厚度进行测量并对测量出的芯片的位置数据和芯片的厚度值相关联地进行存储；和拾取工序，根据在存储工序中存储的芯片的厚度值和位置数据选择出预先设定的容许厚度范围内的芯片而进行拾取。
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公开(公告)号：CN105390410A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510542261.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B27/00
Abstract: 本发明提供晶片检查方法以及磨削研磨装置，用于从晶片上去除磨削痕迹以减少晶片的研磨不良。检查研磨加工后的晶片的检查方法构成为具有如下工序：研磨磨削加工后的晶片；对研磨加工后的晶片的加工面进行拍摄，根据摄像图像生成包括残留于晶片的加工面上的多个磨削痕迹的特性的摄像数据；以及在振幅大于预先规定的规定幅度的情况下，判断为研磨不良，其中，该振幅是对从该摄像工序得到的摄像数据进行傅里叶变换，提取表示磨削痕迹的频率分布，对所提取的频率分布进行傅里叶逆变换而得到的。
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公开(公告)号：CN107452608B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201710259926.6
申请日：2017-04-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 提供器件的制造方法和磨削装置，在对晶片进行分割而制造出芯片的情况下，在短时间内把握制造出的各芯片的厚度并高效地获得良好芯片。器件(D)的制造方法具有如下工序：磨削工序，利用磨削磨具(740)对具有表示晶体取向的标记(N)而且正面(Wa)由分割预定线(S)划分而形成有器件的晶片(W)的背面(Wb)进行磨削；和分割工序，在磨削工序之后，沿着分割预定线将晶片分割成芯片(C)，其中，该方法包含如下工序：存储工序，从磨削工序之后到分割工序之前，对每个芯片的厚度进行测量并对测量出的芯片的位置数据和芯片的厚度值相关联地进行存储；和拾取工序，根据在存储工序中存储的芯片的厚度值和位置数据选择出预先设定的容许厚度范围内的芯片而进行拾取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106997866B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710033605.4
申请日：2017-01-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法，根据粘片膜的粘接不良部位的位置而仅对粘片膜的粘接为良好的芯片进行拾取。一种晶片的加工方法，包含：将在基材带(11)上隔着糊层(12)层叠粘片膜(13)而成的划片带(10)粘贴在晶片(W)的背面上的工序；根据来自划片带侧的晶片的拍摄图像对粘片膜的粘接不良部位的位置进行存储的工序；将晶片分割成带有粘片膜的芯片的工序；通过紫外线来使划片带的糊层硬化的工序；以及根据粘接不良部位的位置而使粘片膜粘接良好的芯片在糊层与粘片膜的边界处分离而对带有粘片膜的芯片进行拾取的工序。
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公开(公告)号：CN106997866A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710033605.4
申请日：2017-01-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/24 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
Abstract: 提供晶片的加工方法，根据粘片膜的粘接不良部位的位置而仅对粘片膜的粘接为良好的芯片进行拾取。一种晶片的加工方法，包含：将在基材带(11)上隔着糊层(12)层叠粘片膜(13)而成的划片带(10)粘贴在晶片(W)的背面上的工序；根据来自划片带侧的晶片的拍摄图像对粘片膜的粘接不良部位的位置进行存储的工序；将晶片分割成带有粘片膜的芯片的工序；通过紫外线来使划片带的糊层硬化的工序；以及根据粘接不良部位的位置而使粘片膜粘接良好的芯片在糊层与粘片膜的边界处分离而对带有粘片膜的芯片进行拾取的工序。
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公开(公告)号：CN115479760A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210652121.9
申请日：2022-06-10
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供测量治具、动作精度测量系统和动作精度测量方法。短时间高精度地测量直线移动机构的动作精度。动作精度测量方法测量具有支承工作台、作业单元以及直线移动机构的装置中的直线移动机构的动作精度，将具有平面状的底面、与底面对置且平行的平行面和经由直线状的边界线而与平行面连接且相对于平行面倾斜的倾斜面的测量治具载置于支承工作台，调整测量治具的朝向以使边界线与进给方向平行，并调整测量治具和白光干涉仪的位置以便利用白光干涉仪同时观测平行面和倾斜面，使支承工作台和作业单元在进给方向上相对地直线移动并利用白光干涉仪观测平行面和倾斜面从而观测干涉条纹的变化，并根据观测到的干涉条纹的变化推算直线移动机构的动作精度。
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公开(公告)号：CN107037058A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611166886.2
申请日：2016-12-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: G01N21/89 , G01N21/892 , G01B11/06
CPC classification number: G01N21/8914 , G01B11/0691 , G01N21/892 , G01N2021/8925
Abstract: 提供检查装置，缩短被检查物检查所需的时间。检查装置(2)对板状的被检查物(11)进行检查，其具有：保持工作台(6)，其对被检查物进行保持；旋转机构(8)，其使保持工作台旋转；和检查单元(10)，其对保持在保持工作台上的被检查物进行检查，检查单元包含取得检查信息的第1检测单元(24)和第2检测单元(26)，该检查信息被用于检测被检查物的缺损、被检查物的表面的伤痕、附着于被检查物的附着物以及被检查物的厚度中的任意情况，一边使保持着被检查物的状态的保持工作台旋转，一边使检查单元按照包含被检查物的中心(11d)在内的直线状的区域(13)直线移动，从而利用第1检测单元和第2检测单元取得检查信息。
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公开(公告)号：CN105489523A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510622968.2
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66 , H01L21/687
Abstract: 提供一种晶片检查方法和晶片检查装置，能够短时间且高精度地检查晶片的加工面的研磨不良。晶片检查方法具有如下工序：对拍摄晶片(W)的加工面进行拍摄；将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素高的像素提取为特征点而制作第1图像；以及将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素低的像素提取为特征点而制作第2图像，根据第1、第2图像检查晶片的加工面。
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