公开(公告)号：CN112530866A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010959310.1

申请日：2020-09-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  小林真 ,  梅原冲人 ,  田村一成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供晶片的处理方法和芯片测量装置。该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件，该晶片的处理方法包含如下的步骤：晶片单元形成步骤，将带粘贴在晶片的背面上并将带的外周安装于环状框架，形成具有晶片、带和环状框架的晶片单元；分割步骤，将晶片沿着分割预定线分割而形成多个芯片(器件芯片)；拾取步骤，从晶片单元拾取芯片；和测量步骤，对通过拾取步骤而拾取的芯片进行测量。在实施拾取步骤之前，实施如下的判别步骤：分别对器件的特性进行检查而判别出良好器件和不良器件并存储判别结果。在测量步骤中，根据判别结果，在通过拾取步骤而拾取的器件芯片包含不良器件的情况下，将芯片破坏而测量抗弯强度。

公开(公告)号：CN116525477A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310079601.5

申请日：2023-01-17

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 小林真 ,  梅原冲人 ,  矢野紘英 ,  松冈祐哉

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供芯片的检查方法，能够适当地评价通过被加工物的分割而形成的芯片。该芯片的检查方法包含如下的步骤：分割步骤，按照规定的分割加工条件对被加工物进行加工，由此将被加工物分割成多个芯片；拍摄步骤，对芯片的侧面进行拍摄，由此获取表现芯片的侧面的侧面图像；以及检查步骤，将从侧面图像抽取的评价值与阈值进行比较，由此对芯片的状态进行检查。