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公开(公告)号：CN107808898B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201710779489.0
申请日：2017-09-01
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L29/06 , H01L21/304
Abstract: 提供晶片和晶片的加工方法，既能够确保形成有器件的区域较大又能够抑制缺陷的产生。一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与器件区域对应，该第2部分围绕第1部分，比第1部分厚地向背面侧突出，在磨削步骤中，使磨削磨轮和晶片相对地移动以使得第1部分的背面与第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。
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公开(公告)号：CN107039342A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611242081.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法。该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘贴步骤(S11)，在晶片(W)的正面(WS)侧粘贴保护带(T)；环状加强部形成步骤(S12)，在保护带粘贴步骤之后，将与器件区域(WA)对应的背面(WR)磨削至第1厚度(t1)，在与外周剩余区域(WB)对应的背面形成环状的加强部(WC)；改质层形成步骤(S13)，在环状加强部形成步骤之后，将激光束(L)定位在晶片的器件区域的内部而从晶片的背面沿着分割预定线在晶片的器件区域的内部形成改质层(K)；以及磨削步骤(S14)，在改质层形成步骤之后，从晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至完工厚度(t2)，通过磨削动作以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割。
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公开(公告)号：CN116237870A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211577338.4
申请日：2022-12-05
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供修整工具和修整方法，该修整工具不仅能够进行磨削磨轮所包含的磨削磨具的下表面(磨削面)的修整，还能够进行其外侧面的修整。将用于磨削磨具的下表面的修整的第1修整部和用于磨削磨具的外侧面的修整的第2修整部中的一方设置成上表面比第1修整部和该第2修整部中的另一方的上表面低，并且外周端部被定位于比第1修整部和该第2修整部中的另一方的外周端部靠外侧的位置。通过利用该修整工具，能够不同时或同时进行磨削磨具的下表面和外侧面这两者的修整。
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公开(公告)号：CN112420584A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010842274.0
申请日：2020-08-20
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 辻本浩平
IPC: H01L21/683 , H01L21/304
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够将在实施磨削加工时附着于卡盘工作台所保持的晶片上的磨削屑充分地去除。晶片的加工方法包含如下的工序：粘接带粘贴工序，在晶片的正面上粘贴粘接带；热压接片配设工序，在粘贴于晶片的正面的粘接带上配设热压接片；一体化工序，对热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压，将热压接片压接于粘接带而进行一体化；磨削工序，将热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台，一边向晶片的背面提供磨削水一边磨削至期望的厚度；以及剥离工序，从卡盘工作台搬出一体化后的晶片，将热压接片从粘接带剥离。
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公开(公告)号：CN116276399A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211639308.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供磨削装置、非暂时性的记录介质以及磨削装置的控制方法，能够防止操作者忘记执行自磨。磨削装置包含：控制单元，其具有处理装置和存储装置，按照存储于存储装置的程序对卡盘工作台、磨削单元以及移动机构进行控制；以及输入装置，其向控制单元输入指令，程序使控制单元执行如下的步骤：在从输入装置向控制单元输入了停止磨削装置的运转的指令之后，使磨削装置的运转停止；以及在从输入装置向控制单元输入了停止磨削装置的运转的指令之后且在使磨削装置的运转停止的步骤结束之前，通过磨削磨轮对保持面进行磨削。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118417977A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410098459.3
申请日：2024-01-24
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供卡盘工作台的保持面整形方法，能够不在卡盘工作台的保持面上形成阶梯差而将该保持面整形成适合TAIKO磨削的保持面。按照使主轴与保持面所包含的围绕区域的外周的沿着第1方向的接近以及主轴的旋转轴线与保持面的中心的沿着第2方向的接近同时开始且同时结束的方式设定磨削步骤中的使主轴与保持面的中心接近时的第2相对速度。具体而言，该第2相对速度考虑了任意设定的参数与在磨削步骤之前或磨削步骤的中途掌握的多个磨削磨具的磨损量(磨削步骤前后的多个磨削磨具的厚度的变化量的绝对值)而设定。由此，能够不在卡盘工作台的保持面上形成阶梯差而将该保持面整形成适合TAIKO磨削的保持面。
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公开(公告)号：CN117238779A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310672020.2
申请日：2023-06-07
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供晶片的处理方法，能够解决在将晶片分割成各个器件芯片而搬送到下一个工序时粉尘等污染物质附着于器件芯片的正面而导致品质降低的问题。晶片的处理方法包含：框架单元形成工序，将晶片收纳于在中央部具有收纳晶片的开口的环状框架的开口中，在环状框架的一个面上粘贴划片带并且粘贴晶片而形成框架单元；分割工序，对晶片的分割预定线进行加工而分割成各个器件芯片；封装单元形成工序，在环状框架的另一个面上粘贴片，利用划片带和片包围晶片而形成封装单元；以及搬送工序，搬送封装单元。
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公开(公告)号：CN105390383A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510520741.7
申请日：2015-08-21
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制加工时间变长并且能够扩大器件区域。晶片的加工方法具备第1磨削步骤以及第2磨削步骤。在第1磨削步骤中，在作为与磨削装置的卡盘工作台的保持面垂直的方向的加工进给方向上移动第1磨具来对晶片(W)进行磨削，在晶片(W)的背面(WR)形成第1圆形凹部(R1)。在第2磨削步骤中，使由比第1磨具细的磨粒形成的第2磨具(34)从晶片(W)的中心侧朝向晶片(W)的外周沿倾斜方向下降，对第1圆形凹部(R1)进行磨削。
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公开(公告)号：CN117995714A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311407442.3
申请日：2023-10-27
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 辻本浩平
IPC: H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，与晶片的圆形凹部与环状加强部之间的阶梯差无关地短时间且高效地形成用于将该圆形凹部与该环状加强部分离的分离槽而简单地去除环状加强部。晶片的加工方法包含如下的步骤：第一固定步骤，将晶片的背面固定于第一树脂片从而使该第一树脂片仿照晶片的圆形凹部和环状加强部；第二固定步骤，在该第一固定步骤之后，将第二树脂片固定于固定在环状加强部上的第一树脂片，在固定于圆形凹部的第一树脂片与第二树脂片之间形成空腔；保持步骤，在第二固定步骤之后，将晶片的第二树脂片保持于卡盘工作台；以及槽形成步骤，形成将圆形凹部与环状加强部分离的分离槽。
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公开(公告)号：CN117600986A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311020580.6
申请日：2023-08-14
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B27/02 , H01L21/304 , B24B47/04 , B24B27/00 , B24B41/00 , B24B41/047 , B24B41/06 , B24B47/28
Abstract: 本发明提供被加工物的加工方法，该被加工物具有基板和粘贴于基板的正面侧的保护部件，该被加工物的加工方法能够防止伴随基板的背面侧的磨削而使基板的背面侧成为凹凸形状。通过按压保护部件而在基板的正面侧中的成为凹部的多个器件的边界埋设保护部件，并且对保护部件进行磨削而使保护部件的表面侧平坦化。在该情况下，能够消除基板与保护部件之间的间隙或使该间隙减小，并且能够消除隔着保护部件而对基板进行保持的卡盘工作台与保护部件之间的间隙或使该间隙减小。因此，通过在基板的背面侧的磨削之前实施这些步骤，能够防止伴随基板的背面侧的磨削而使基板的背面侧成为凹凸形状。
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