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公开(公告)号：CN116276398A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211562310.3
申请日：2022-12-07
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
Abstract: 本发明提供被加工物的磨削方法，与以往相比能够缩短磨削磨轮以低速下降且空转的空切的期间。该被加工物的磨削方法包含如下的步骤：第1移动步骤，在卡盘工作台不旋转而使磨削磨轮旋转的状态下，一边在卡盘工作台的保持面所保持的被加工物的上表面上形成流动的磨削液的膜，一边使卡盘工作台与磨削磨轮以第1速度相对地移动以便接近至第1距离；以及第2移动步骤，在使卡盘工作台与磨削磨轮分别旋转的状态下，使卡盘工作台与磨削磨轮以第2速度相对地移动以便接近至比被加工物的厚度小的第2距离，从而对被加工物进行磨削，将磨削磨轮的旋转的负荷变得大于阈值的时刻的卡盘工作台与磨削磨轮的距离作为第1距离而结束第1移动步骤。
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公开(公告)号：CN104779204B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201510013400.0
申请日：2015-01-12
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，其不会使抗弯强度恶化并且能够形成较厚的厚度的芯片。在晶片上设定有交叉的多条分割预定线，晶片的加工方法的特征在于具备：槽形成步骤，从晶片的正面沿着分割预定线形成未达到完工厚度的深度的多个槽；保护带粘贴步骤，在晶片的正面粘贴保护带；激光加工步骤，将透过晶片的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部的比完工厚度靠背面侧的位置，朝向晶片的背面沿着分割预定线照射激光束，在晶片内部形成沿着分割预定线的变质层，并且形成从变质层朝向槽延伸的沿着分割预定线的裂纹层；和磨削步骤，利用磨削构件对晶片的背面进行磨削以使晶片变薄至完工厚度，并且，去除变质层，沿着分割预定线将晶片分割为芯片。
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公开(公告)号：CN106505035A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610804066.5
申请日：2016-09-05
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
IPC: H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/304 , B24B7/22 , B24B55/06
CPC classification number: H01L21/78 , B24B7/228 , B24B55/06 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 提供晶片的加工方法，是基于SDBG法的晶片的加工方法，防止在器件芯片侧面上残留磨削屑。晶片在由相互交叉的多条分割预定线划分的正面的各区域中形成有器件，方法具有：框架单元形成步骤，在封闭环状框架的开口的扩张带上粘贴晶片的正面而形成框架单元；改质层形成步骤，从构成框架单元的晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的内部的正面附近形成沿着分割预定线的改质层；第1磨削步骤，一边提供磨削水一边利用磨削磨具来磨削晶片的背面，沿着改质层将晶片分割成一个个的器件芯片；和第2磨削步骤，对通过扩展扩张带而在相邻的器件芯片之间设置有间隔的晶片提供磨削水并利用磨削磨具来磨削其背面，将晶片薄化到完工厚度。
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公开(公告)号：CN111438580A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010030425.2
申请日：2020-01-13
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供被加工物的加工方法，效率良好。被加工物的加工方法在对板状的被加工物进行加工时使用，包含如下步骤：保护部件粘贴步骤，在被加工物的正面侧粘贴保护部件；保持步骤，按照被加工物的背面侧露出的方式隔着保护部件利用卡盘工作台的保持面对被加工物的正面侧进行保持；磨削步骤，一边从磨削水提供用喷嘴向卡盘工作台所保持的被加工物的背面侧提供磨削水一边使固定有包含磨粒的磨削磨具的磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，将被加工物的背面侧磨削而使被加工物变薄；和处理步骤，在磨削步骤之后，在停止从磨削水提供用喷嘴提供磨削水的状态下使磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，对被加工物或磨削磨具进行处理。
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公开(公告)号：CN110233100A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910150730.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
IPC: H01L21/304
Abstract: 提供被加工物的磨削方法，在对被加工物进行磨削的情况下，即使不去除被加工物的外周部也能够抑制边缘崩边及晶片裂痕的产生。该磨削方法包含：利用保护部件(T)覆盖被加工物(W)的正面(Wa)的工序；从被加工物的背面(Wb)侧在比外周缘(Wd)靠内侧规定的距离的位置沿着外周缘呈圆形照射对于被加工物具有透过性的激光而形成变质层(M)的工序；利用工作台(70)来保持形成有变质层的被加工物的保护部件的工序；磨削被加工物的背面而使被加工物形为完工厚度，并且在被加工物的厚度到达变质层的时刻以沿着外周缘形成的变质层为起点将被加工物分割成内周部(W1)和外周部(W2)的工序，通过在背面磨削中途将被加工物分割成内周部和外周部，防止崩边和裂痕传播到内周部的器件区域(Wa1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706150A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710637451.X
申请日：2017-07-31
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够对晶片进行分割以使得不在器件芯片的角产生亏缺。从晶片的背面(W2)侧沿着第1间隔道(L1)和第2间隔道(L2)照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成两层以上的改质层(R)。在形成改质层之后，通过从晶片的背面进行磨削的磨削动作而以改质层为起点将晶片沿着第1间隔道和第2间隔道分割成器件芯片(DC)。在改质层的形成中，将第1间隔道中的晶片正面侧的最下层的改质层按照相邻的每个器件在该第1间隔道内在与第1间隔道垂直的方向上错开而形成。由此，相邻的器件芯片的角彼此在分割时不会在对角线上摩擦。
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公开(公告)号：CN115440580A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210605403.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
IPC: H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/683 , B24B1/00 , B23K26/38 , B23K26/70 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够抑制贴合晶片的围绕着器件区域的外周剩余区域的部分脱离时带来的不良影响。晶片的加工方法包含如下的步骤：将外周缘进行了倒角的第一晶片的具有器件区域和外周剩余区域的一个面贴合于第二晶片的一个面而形成贴合晶片；将激光束沿着第一晶片的外周缘进行照射而形成环状的改质区域，将第一晶片断开成外周环状部和中央区域；对第一晶片的另一个面粘贴扩展带；通过对扩展带进行扩展，以改质区域为起点而将第一晶片分割成外周环状部和中央区域，并使外周环状部从贴合晶片脱离；以及将第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
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公开(公告)号：CN110030909B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910011010.8
申请日：2019-01-07
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
Abstract: 提供晶片的评价装置和晶片的评价方法，能够以简单的结构对晶片的磨削面的状态进行评价。本实施方式的评价装置具有：旋转工作台对晶片(200)进行磨削；测量针(113)，其与通过精磨削单元进行了磨削的晶片(200)的背面(201)接触；移动单元(120)，其以能够使测量针移动的方式对测量针(113)进行保持；以及存储部(93)，其将按照测量针(113)与背面(201)接触的状态使测量针(113)与背面(201)相对地移动时所产生的声音作为该背面(201)的粗糙度信息进行存储。(100)，其对晶片(200)进行保持；精磨削单元，其
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公开(公告)号：CN107706150B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710637451.X
申请日：2017-07-31
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 广泽俊一郎
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够对晶片进行分割以使得不在器件芯片的角产生亏缺。从晶片的背面(W2)侧沿着第1间隔道(L1)和第2间隔道(L2)照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成两层以上的改质层(R)。在形成改质层之后，通过从晶片的背面进行磨削的磨削动作而以改质层为起点将晶片沿着第1间隔道和第2间隔道分割成器件芯片(DC)。在改质层的形成中，将第1间隔道中的晶片正面侧的最下层的改质层按照相邻的每个器件在该第1间隔道内在与第1间隔道垂直的方向上错开而形成。由此，相邻的器件芯片的角彼此在分割时不会在对角线上摩擦。
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公开(公告)号：CN107039342A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611242081.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法。该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘贴步骤(S11)，在晶片(W)的正面(WS)侧粘贴保护带(T)；环状加强部形成步骤(S12)，在保护带粘贴步骤之后，将与器件区域(WA)对应的背面(WR)磨削至第1厚度(t1)，在与外周剩余区域(WB)对应的背面形成环状的加强部(WC)；改质层形成步骤(S13)，在环状加强部形成步骤之后，将激光束(L)定位在晶片的器件区域的内部而从晶片的背面沿着分割预定线在晶片的器件区域的内部形成改质层(K)；以及磨削步骤(S14)，在改质层形成步骤之后，从晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至完工厚度(t2)，通过磨削动作以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割。
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