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公开(公告)号：CN1542748A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031305.5
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/16 , H01L27/228 , Y10T29/49041 , Y10T29/49048
Abstract: 为了减小TMR元件和与其连接的导体的位置配合公差，通过采用使用了用来在平面上的负X方向侧使TMR元件1和金属片5的侧面对齐的X方向边界掩膜S11的光刻技术，对TMR元件1和金属片5整形。X方向边界掩膜S11具有直线上的边界，该边界与Y方向平行，且配置成与TMR元件1和金属片5中任何一个在平面上交叉。而且，在正X方向侧利用该边界将TMR元件1和金属片5覆盖。
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公开(公告)号：CN101162755A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610147028.3
申请日：2006-11-13
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L43/08 , H01L43/12 , H01L27/22 , H01L27/105 , H01L21/822 , G11C11/16
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT－SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT－SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1267899C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410031305.5
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/16 , H01L27/228 , Y10T29/49041 , Y10T29/49048
Abstract: 为了减小TMR元件和与其连接的导体的位置配合公差，通过采用使用了用来在平面上的负X方向侧使TMR元件1和金属片5的侧面对齐的X方向边界掩膜S11的光刻技术，对TMR元件1和金属片5整形。X方向边界掩膜S11具有直线形的边界，该边界与Y方向平行，且配置成与TMR元件1和金属片5中任何一个在平面上交叉。而且，在正X方向侧利用该边界将TMR元件1和金属片5覆盖。
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公开(公告)号：CN1866361A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610091302.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G11B5/84
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/16 , H01L27/228 , Y10T29/49041 , Y10T29/49048
Abstract: 为了减小TMR元件和与其连接的导体的位置配合公差，通过采用使用了用来在平面上的负X方向侧使TMR元件1和金属片5的侧面对齐的X方向边界掩膜S11的光刻技术，对TMR元件1和金属片5整形。X方向边界掩膜S11具有直线形的边界，该边界与Y方向平行，且配置成与TMR元件1和金属片5中任何一个在平面上交叉。而且，在正X方向侧利用该边界将TMR元件1和金属片5覆盖。
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