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公开(公告)号：CN116056884B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202180062989.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/14 , H01L29/417 , H01L21/285 , H01L21/28 , B32B15/01
Abstract: 本发明提供一种具有强抗弯曲性的层积结构体及层积结构体的制造方法。在依次层积了第1钛层(L1)、铝层(L2)以及第2钛层(L3)的本发明的层积结构体(LS)中，第1钛层和第2钛层具有的结晶结构是在X射线衍射测量的密勒指数的(002)晶面和(100)晶面上具有衍射峰，(002)晶面上的衍射峰的半峰宽为1.0度以下，(100)晶面上的衍射峰的半峰宽为0.6度以下。
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公开(公告)号：CN102047440A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119948.6
申请日：2009-07-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/03762 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , Y02E10/548
Abstract: 一种太阳能电池单元的制造方法，包括：刻划工序，在基板(11)上通过依次层积第一电极层(13)、光电转换层(14)和第二电极层(15)而形成光电转换体(12)之后，形成将光电转换体(12)电分离为多个划分部的槽，在所述刻划工序中，形成第一槽(18)、第二槽(19)、第三槽(24)、以及第四槽(50)，在所述刻划工序之后，具有形成绝缘层(31、51)的绝缘层形成工序以及形成配线层(30)的配线层形成工序，所述配线层(30)从露出于所述第二槽(19)的底面的所述第一电极层(13)，经过所述第二槽(19)的内部和所述绝缘层(31、51)的表面，到达配置在所述第四槽(50)的与所述第二槽(19)相反的一侧的所述第二电极层(15)的表面，电连接所述多个划分部。
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公开(公告)号：CN113423858B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202080013277.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。为了达成上述目的，一方式的铝合金靶材具有由铝构成的主要成分以及添加至上述主要成分中的元素组，上述元素组由0.005at％以上且0.88％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
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公开(公告)号：CN113423858A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013277.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。为了达成上述目的，一方式的铝合金靶材具有由铝构成的主要成分以及添加至上述主要成分中的元素组，上述元素组由0.005at％以上且0.88％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115485818A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032239.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/58
Abstract: 本发明提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体和金属布线结构体的制造方法。为了实现上述目的，金属布线结构体具有：金属布线膜，其具有由铝构成的主成分和添加在上述主成分中的包含0.005at％以上且0.88at％以下的铁的添加元素；以及第一覆盖层，其层叠在上述金属布线膜。如果是这种金属布线结构体，则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
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公开(公告)号：CN102132416A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132750.1
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
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公开(公告)号：CN101946312A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105758.9
申请日：2009-02-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/401 , C23C16/515 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L29/4908
Abstract: 一种成膜方法在抑制栅绝缘膜的电学特性恶化的同时提高栅绝缘膜的表面喷涂率。所述方法包括向真空腔(11)提供包含有机硅烷化合物和氧化气体的混合气体，产生脉冲高频电从而间歇性提供高频电，并通过用脉冲高频电使混合气体等离子化，在所述基板(S)上形成硅绝缘膜。所述脉冲高频电根据满足所述硅绝缘膜表面喷涂率目标值的最大占空比而产生。
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公开(公告)号：CN116056884A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180062989.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: B32B15/01
Abstract: 本发明提供一种具有强抗弯曲性的层积结构体及层积结构体的制造方法。在依次层积了第1钛层(L1)、铝层(L2)以及第2钛层(L3)的本发明的层积结构体(LS)中，第1钛层和第2钛层具有的结晶结构是在X射线衍射测量的密勒指数的(002)晶面和(100)晶面上具有衍射峰，(002)晶面上的衍射峰的半峰宽为1.0度以下，(100)晶面上的衍射峰的半峰宽为0.6度以下。
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公开(公告)号：CN102301487A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005941.4
申请日：2010-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/24 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
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