公开(公告)号：CN107527960A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710468365.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  高桥明久 ,  齐藤一也 ,  浅利伸 ,  大園修司 ,  铃木英夫 ,  山口昇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/075 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

Abstract: 本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。

公开(公告)号：CN103907208A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280054056.4

申请日：2012-10-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 酒田现示 ,  横尾秀和 ,  富田真人 ,  铃木英夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 太阳能电池的制造方法具有：第一中心对准工序(S10)，设定基板中心位置作为相对于杂质注入工序(S20)的处理的基准位置；以及第二中心对准工序(S30)，设定基板中心位置作为相对于电极形成工序(S40)的处理的基准位置。

公开(公告)号：CN107527960B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201710468365.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  高桥明久 ,  齐藤一也 ,  浅利伸 ,  大園修司 ,  铃木英夫 ,  山口昇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。

公开(公告)号：CN109935658A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811266995.0

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山口登 ,  广庭大辅 ,  铃木英夫

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明提供能够用简便的方法形成太阳能电池的里面结构且能够使TOPCon结构的太阳能电池低成本化的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法包含在晶体系硅基板的表面形成绝缘层。在上述绝缘层的表面形成第1导电型的第1非晶硅层。在上述第1非晶硅层内选择性地注入第2导电型的杂质元素，使注入了上述杂质元素的区域的导电型反转，由此，在上述区域形成第2导电型的非晶区域。

公开(公告)号：CN113785405A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080020684.5

申请日：2020-03-13

Applicant: 东洋铝株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 铃木绍太 ,  马尔万·达姆林 ,  山口升 ,  铃木英夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 提供背接触型太阳能电池单元的制造方法，能够以比现有制造方法少的工序数实施。本发明是背接触型太阳能电池单元的制造方法，依次有：在结晶硅基板(10)背面形成氧化膜(20)的工序(A)；在所述氧化膜(20)的暴露面形成硅薄膜层(30A)的工序(B)；在所述硅薄膜层(30A)以用机械硬掩模的离子注入法及活化退火局部形成n+层(40)的工序(C)；在经所述工序(C)所得具有所述氧化膜(20)、所述硅薄膜层(30B)及所述n+层(40)的所述结晶硅基板(10)两面形成钝化膜(50)的工序(D)；将形成于所述结晶硅基板(10)背面侧的所述钝化膜(50)的未覆盖所述n+层(40)的区域局部去除，在暴露的所述硅薄膜层(30B)形成一或多个铝电极(60B)的工序(E)。

公开(公告)号：CN107452832A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710388817.4

申请日：2017-05-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山口昇 ,  西桥勉 ,  铃木英夫 ,  酒田现示 ,  田中美和

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开一种退火处理装置以及退火处理方法。该退火处理装置为晶系太阳能电池用的退火处理装置，包括：加热室，具有用于对杂质掺杂的基板进行热处理的内部空间；以及前室，被配置为经由闸式阀与所述加热室的内部空间连通。所述加热室具备：盒基座，放置盒支架，所述盒支架为在所述加热室的内部空间中，使多个以所述基板的表面和背面暴露的状态来保持所述基板的外周部的盒，在以规定的距离分隔开的状态下，多段重叠而成；以及气体供给单元，用于热处理。所述气体供给单元具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述基板之间分隔开的空间且针对每个该空间为一个以上。

公开(公告)号：CN103907208B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280054056.4

申请日：2012-10-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 酒田现示 ,  横尾秀和 ,  富田真人 ,  铃木英夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 太阳能电池的制造方法具有：第一中心对准工序(S10)，设定基板中心位置作为相对于杂质注入工序(S20)的处理的基准位置；以及第二中心对准工序(S30)，设定基板中心位置作为相对于电极形成工序(S40)的处理的基准位置。

公开(公告)号：CN105765726A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064729.3

申请日：2014-12-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  中川明夫 ,  横尾秀和 ,  铃木英夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够实现元件的更微细化或高品质化的绝缘栅双极晶体管的制造方法。本发明的一个实施方式所涉及的绝缘栅双极晶体管的制造方法包括：准备用MCZ法制造的第1导电型半导体衬底。在上述半导体衬底的第1表面形成第2导电型基层(12)、第1导电型发射区(13)和栅极(14)。对上述半导体衬底的第2表面进行加工，据此使上述半导体衬底薄化；在薄化后的上述第2表面注入硼，据此形成第2导电型集电层(15)。在上述半导体衬底的内部的、与集电层(15)相邻的区域注入氢，据此形成杂质浓度高于上述半导体衬底的第1导电型缓冲层(16)。