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公开(公告)号：CN108140685A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055952.0
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明的HBC型晶体太阳能电池具备：基板，具有光入射的第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面，由显现光电转换功能的第一导电型的晶体硅构成；和i型非晶Si层，被配设为覆盖所述基板的所述第二面。与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位以存在于所述非晶Si层的内部且一部分露出于所述非晶Si层的外表面侧的方式被配置为彼此分离。
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公开(公告)号：CN102124543B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980131469.6
申请日：2009-08-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种等离子体掺杂方法，其可将杂质均匀地注入待处理物内。该方法为，在生成作为P型杂质的含硼的乙硼烷气体和作为稀有气体的氩气的等离子体时，不为硅衬底13施加偏压电位，使该等离子体中的硼原子团21沉积在硅衬底13的表面上。然后，停止提供乙硼烷气体，并为硅衬底13施加偏压电位，使等离子体中的氩离子22向硅衬底13表面照射。通过使照射的氩离子22撞击硼原子团21，将硼原子团21注入硅衬底13内。通过热处理激活已注入的硼原子团21，即可在硅衬底13内形成P型杂质扩散层23。
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公开(公告)号：CN102203856B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN200980143329.0
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84 , H01J37/317
CPC classification number: G11B5/85 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24585 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。
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公开(公告)号：CN102197425A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142558.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的是提供能够制造磁存储介质的简单制造方法、可以通过该简单制造方法制造的具有高记录密度的磁存储介质以及信息存储装置。通过具有以下步骤的制造方法制造磁盘(10)：成膜步骤(A)，在基板(61)上形成由Co-Cr-Pt合金制成的且具有小于10nm的厚度的磁性膜(62)；以及离子注入步骤(C)，将离子局部地注入除了形成磁性点的多个区域以外的其他区域降低其饱和磁化强度，从而在所述磁性点之间形成饱和磁化强度比所述磁性点的饱和磁化强度小的所述点间分隔体，在磁性点中以磁的方式记录信息。
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公开(公告)号：CN100589225C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200580009834.8
申请日：2005-11-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/147
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/1474 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中，作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的结构：在离子束线上的规定部位上配置第1、第2、第3室(12A、14A、16A)，第2室(14A)，相对于第1、第3室(12A、16A)间隔第1、第2间隙(20A、22A)配置，第2室(14A)经在第1、第2间隙(20A、22A)中安装了的第1、第2这2对电极对(26A、28A)与第1、第3室(12A、16A)电绝缘，而且，第1、第2这2对电极对(26A、28A)以规定的角度与离子束的基准轴J在相反的方向上倾斜地相交，并且施加所希望的扫描波形的电位的扫描电源(40A)与第2室(14A)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102105933B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200980128574.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F10/3295
Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。
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公开(公告)号：CN102224544A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147350.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的是提供能够制造位元规则型等的类型的磁存储介质的简单实用的方法、可以由这种简单实用的方法制造的上述类型的磁存储介质和信息存储装置，在磁盘制造方法中，执行以下步骤：成膜工序(A)，在玻璃基板(61)上形成磁性膜(62)，使得居里温度为600K以下；以及离子注入工序(C)，将离子局部地注入到所述磁性膜(62)上的除了预定的保护区域以外的区域。
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公开(公告)号：CN101385113A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005621.7
申请日：2007-02-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/05 , H01J2237/083 , H01J2237/31703
Abstract: 提供一种单晶膜制造用的离子注入装置，以小型方式实现了离子束的稳定平行性和密度分布的高控制性。该单晶膜制造用的离子注入装置，从离子源(12)引出氢离子或者稀有气体离子(B)，利用第1扇形电磁铁(14)来选定所希望的离子(B)，利用扫描器(16)来扫描离子(B)，利用第2扇形电磁铁(18)使离子(B)平行化，注入到基板(20)，由此来制造单晶膜，其中，在第1扇形电磁铁(14)的入口侧焦点(F1)附近配置了离子源(12)。在此情况下，若将离子源(12)的引出部的开口做成圆形，并使第1扇形电磁铁(14)上的偏转面和垂直于该偏转面的面上的入口侧焦点一致，则通过第1扇形电磁铁(14)后的离子束(B)的束斑形状为圆形，并且在两个面上变得完全平行。
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公开(公告)号：CN1961400A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580009834.8
申请日：2005-11-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/147
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/1474 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中，作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的结构：在离子束线上的规定部位上配置第1、第2、第3室(12A、14A、16A)，第2室(14A)，相对于第1、第3室(12A、16A)间隔第1、第2间隙(20A、22A)配置，第2室(14A)经在第1、第2间隙(20A、22A)中安装了的第1、第2这2对电极对(26A、28A)与第1、第3室(12A、16A)电绝缘，而且，第1、第2这2对电极对(26A、28A)以规定的角度与离子束的基准轴J在相反的方向上倾斜地相交，并且施加所希望的扫描波形的电位的扫描电源(40A)与第2室(14A)连接。
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公开(公告)号：CN111065874B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201980004028.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明实现在短时间内真空冻结干燥以及降低成本。真空冻结干燥装置具有喷雾部、管部、加热部以及收集部。上述喷雾部将原料液向真空容器内喷雾。上述管部为非直线状，具有第一开口端和第二开口端，上述原料液向上述真空容器内喷雾而形成的液滴自冻结而形成的冻结颗粒被上述第一开口端捕捉。上述加热部通过将冻结颗粒在上述管部内加热来使冻结颗粒升华干燥，上述冻结颗粒通过在喷雾时获得的动能而在上述管部内从上述第一开口端朝向上述第二开口端移动。上述收集部收集干燥颗粒，上述干燥颗粒通过上述冻结颗粒在上述管部内升华干燥而形成，并从上述管部的上述第二开口端被释放。
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