公开(公告)号：CN105765726A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064729.3

申请日：2014-12-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  中川明夫 ,  横尾秀和 ,  铃木英夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够实现元件的更微细化或高品质化的绝缘栅双极晶体管的制造方法。本发明的一个实施方式所涉及的绝缘栅双极晶体管的制造方法包括：准备用MCZ法制造的第1导电型半导体衬底。在上述半导体衬底的第1表面形成第2导电型基层(12)、第1导电型发射区(13)和栅极(14)。对上述半导体衬底的第2表面进行加工，据此使上述半导体衬底薄化；在薄化后的上述第2表面注入硼，据此形成第2导电型集电层(15)。在上述半导体衬底的内部的、与集电层(15)相邻的区域注入氢，据此形成杂质浓度高于上述半导体衬底的第1导电型缓冲层(16)。