公开(公告)号：CN102132416A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132750.1

申请日：2009-08-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 朝比奈伸一 ,  内田宽人 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  藤长徹志 ,  小林忠正 ,  若井雅文 ,  今北健一 ,  植喜信 ,  齐藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/077 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。

公开(公告)号：CN101815806A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110410.4

申请日：2008-09-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 今北健一 ,  森田正 ,  山本弘辉 ,  森本直树 ,  锅谷章生 ,  中村真也

IPC: C23C14/34 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/352 ,  H01J37/34 ,  H01J37/347 ,  H01L43/12

Abstract: 一种改善膜厚均匀性的成膜装置和成膜方法。旋转机构(24，26，27，29，31，MT)将带溅射面的靶(32)保持在与基板(S)表面倾斜的状态。所述旋转机构可绕轴线旋转地支撑靶(32)，该轴线沿溅射面法线延伸。对由旋转机构支撑的所述靶(32)溅射以在基板(S)表面形成薄膜。在成膜时，旋转机构保持靶(32)的旋转角度。

公开(公告)号：CN101815806B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200880110410.4

申请日：2008-09-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 今北健一 ,  森田正 ,  山本弘辉 ,  森本直树 ,  锅谷章生 ,  中村真也

IPC: C23C14/34 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/352 ,  H01J37/34 ,  H01J37/347 ,  H01L43/12

Abstract: 一种改善膜厚均匀性的成膜装置和成膜方法。旋转机构(24，26，27，29，31，MT)将带溅射面的靶(32)保持在与基板(S)表面倾斜的状态。所述旋转机构可绕轴线旋转地支撑靶(32)，该轴线沿溅射面法线延伸。对由旋转机构支撑的所述靶(32)溅射以在基板(S)表面形成薄膜。在成膜时，旋转机构保持靶(32)的旋转角度。

公开(公告)号：CN101689601B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200880019704.6

申请日：2008-05-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 今北健一

IPC: H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01F41/18 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01F41/18 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种增大单方向各向异性常数(JK)的磁性器件制造装置。基底(S)放置在成膜区域(21a)中的基底架(24)上，将基底(S)加热至预定温度，并且将处理压力减小至小于等于1.0(Pa)。使用Kr和Xe中的至少一种对主要成分为形成反铁磁层之元素的靶进行溅射以形成反铁磁层。所述反铁磁层包括由组成式Mn100-X-MX(M为Ru、Rh、Ir及Pt中的至少一种，X的取值范围为20(原子％)≤X≤30(原子％))表示的L12有序相。

公开(公告)号：CN101689601A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880019704.6

申请日：2008-05-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 今北健一

IPC: H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01F41/18 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01F41/18 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种增大单方向各向异性常数(J K )的磁性器件制造装置。基底(S)放置在成膜区域(21a)中的基底架(24)上，将基底(S)加热至预定温度，并且将处理压力减小至小于等于1.0(Pa)。使用Kr和Xe中的至少一种对主要成分为形成反铁磁层之元素的靶进行溅射以形成反铁磁层。所述反铁磁层包括由组成式Mn 100-X -M X (M为Ru、Rh、Ir及Pt中的至少一种，X的取值范围为20(原子％)≤X≤30(原子％))表示的L1 2 有序相。