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公开(公告)号：CN115485818A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032239.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/58
Abstract: 本发明提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体和金属布线结构体的制造方法。为了实现上述目的，金属布线结构体具有：金属布线膜，其具有由铝构成的主成分和添加在上述主成分中的包含0.005at％以上且0.88at％以下的铁的添加元素；以及第一覆盖层，其层叠在上述金属布线膜。如果是这种金属布线结构体，则可提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的金属布线结构体。
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公开(公告)号：CN112335058A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041032.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体薄膜，其由以In、Sn及Ge为主成分的氧化物半导体构成。Ge/(In+Sn+Ge)的原子比为0.07以上且0.40以下。由此，能够得到具有10cm2/Vs以上的迁移率的晶体管特性。
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公开(公告)号：CN119948198A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380066125.1
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/363 , H10D30/67
Abstract: 本发明实现了一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、以及薄膜半导体装置及其制造方法，所述氧化物半导体薄膜形成用溅射靶能够形成适于同时实现高迁移率和高带隙的活性层的氧化物半导体薄膜。本发明提供一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶，其用于形成氧化物半导体薄膜，其由含有规定氧化物的氧化物烧结体构成，当将所述规定氧化物的元素比设为InXSnYGaVGeWZnZ时，X为0.4～0.8，Y为0～0.1，Z为0.2～0.6，且成为X+Y+Z＝1的范围，V/(V+W+X+Y+Z)为0.01以上0.22以下，且W/(V+W+X+Y+Z)为0.01以上0.06以下。
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公开(公告)号：CN119866389A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380066128.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/363 , H10D30/67
Abstract: 本发明实现了一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、以及薄膜半导体装置及其制造方法，所述氧化物半导体薄膜形成用溅射靶能够形成适于同时实现高迁移率和高带隙的活性层的氧化物半导体薄膜。本发明提供一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶，其用于形成氧化物半导体薄膜，其由含有规定氧化物的氧化物烧结体构成，当将所述规定氧化物的元素比设为InXSnYGewZnZ时，X为0.245～0.5，Y为0.1～0.3，Z为0.2～0.655，且成为X+Y+Z＝1的范围，W/(W+X+Y+Z)为0.01以上0.03以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118922579A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029003.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 溅射靶，其由包含由铟、镁和锡组成的式InXMgYSnZ的氧化物的氧化物烧结体构成，上述式的X为0.32以上且0.65以下，Y为0.17以上且0.46以下，Z为大于0且0.22以下，并且在X+Y+Z＝1的范围。
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公开(公告)号：CN117587368A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310913378.X
申请日：2023-07-25
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种适于通过溅射法形成结晶缺陷少、结晶取向性良好的六方晶系结晶膜的溅射装置。具备配置有靶(31)的真空室(1)，具备运输单元(7)，其以在所述真空室内通过面对所述溅射面(31a)的Z轴方向上方的空间的方式沿X轴方向运输基板(Sg)。在所述靶的X轴方向前后，分别竖立设置沿Z轴方向延伸的限制板(6a，6b)，其具有与该靶的Y轴方向长度是相等以上的宽度，与成膜面(Sg1)所成角度为规定值以下倾斜入射的溅射粒子向基板的附着被限制板限制。
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公开(公告)号：CN113423858B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202080013277.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。为了达成上述目的，一方式的铝合金靶材具有由铝构成的主要成分以及添加至上述主要成分中的元素组，上述元素组由0.005at％以上且0.88％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
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公开(公告)号：CN112335058B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201980041032.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
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公开(公告)号：CN113423858A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013277.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。为了达成上述目的，一方式的铝合金靶材具有由铝构成的主要成分以及添加至上述主要成分中的元素组，上述元素组由0.005at％以上且0.88％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
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