公开(公告)号：CN1158758C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN00108182.9

申请日：2000-04-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田英一 ,  山本康治 ,  米田年麿 ,  门田道雄

IPC: H03H3/08

Abstract: 本发明提供了一种声表面波元件的制造方法，包含以下步骤：设置具有叉指式换能器的压电基片，所述叉指式换能器具有比所述压电基片更高的密度；同时离子轰击所述叉指式换能器和所述压电体，以便减小叉指式换能器和压电体的厚度。

公开(公告)号：CN1926762A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006792.2

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西山健次 ,  高田英一 ,  中尾武志 ,  门田道雄

IPC: H03H9/145 ,  H01L41/00 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02984 ,  H03H9/14538 ,  H03H9/25

Abstract: 一种表面声波装置，使得可以容易调节共振频率和中心频率，频率－温度性质优良，比例带宽宽，并且反共振阻抗高。该表面声波装置包括机电系数为15％或更高的LiTaO3或LiNbO3的压电基板(1)；至少一个电极，所述电极形成在压电基板(1)上并且是层压薄膜，所述层压薄膜具有由密度大于Al的金属或主要由该金属构成的合金的金属层作为主金属层，和层压在主金属层上由另一金属构成的金属层；和第一SiO2层(2)，该层形成在除形成所述至少一个电极的区域以外的剩余区域中，并且具有约等于电极厚度的厚度。上述表面声波装置还包含密度为第一SiO2层(2)密度的1.5倍或更高并且覆盖所述电极和第一SiO2层(2)的第二SiO2层(6)，和形成在第二SiO2层(6)上的氮化硅化合物层(22)。

公开(公告)号：CN119487983A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380049456.4

申请日：2023-05-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池本伸郎 ,  高田英一 ,  山地和裕 ,  上田英树

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02

Abstract: 多个导体层包含具有位于多个绝缘体层中的位于最靠Z轴的正方向的绝缘体层的正主面的安装电极的第1导体层。一个以上的第1层间连接导体将位于第1绝缘体层的所述正主面以及所述负主面的两个导体层连接。第1层间连接导体包含第1区域和第2区域，第2区域具有比第1区域的导热率低的导热率，并且位于比第1区域靠Z轴的负方向。在Z轴方向上观察，作为一个以上的第1层间连接导体中的至少一个的大面积第1层间连接导体的面积比第2层间连接导体的面积大。

公开(公告)号：CN100563100C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200580006792.2

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西山健次 ,  高田英一 ,  中尾武志 ,  门田道雄

IPC: H03H9/145 ,  H01L41/00 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02984 ,  H03H9/14538 ,  H03H9/25

Abstract: 一种表面声波装置，使得可以容易调节共振频率和中心频率，频率-温度性质优良，比例带宽宽，并且反共振阻抗高。该表面声波装置包括机电系数为15%或更高的LiTaO3或LiNbO3的压电基板(1)；至少一个电极，所述电极形成在压电基板(1)上并且是层压薄膜，所述层压薄膜具有由密度大于Al的金属或主要由该金属构成的合金的金属层作为主金属层，和层压在主金属层上由另一金属构成的金属层；和第一SiO2层(2)，该层形成在除形成所述至少一个电极的区域以外的剩余区域中，并且具有约等于电极厚度的厚度。上述表面声波装置还包含密度为第一SiO2层(2)密度的1.5倍或更高并且覆盖所述电极和第一SiO2层(2)的第二SiO2层(6)，和形成在第二SiO2层(6)上的氮化硅化合物层(22)。

公开(公告)号：CN1271996A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00108182.9

申请日：2000-04-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田英一 ,  山本康治 ,  米田年麿 ,  门田道雄

IPC: H03H3/08

Abstract: 本发明提供了一种声表面波元件的制造方法,包含以下步骤:设置具有叉指式换能器的压电基片,所述叉指式换能器具有比所述压电基片更高的密度;同时离子轰击所述叉指式换能器和所述压电体,以便减小叉指式换能器和压电体的厚度。

公开(公告)号：CN119096356A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380039154.9

申请日：2023-05-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池本伸郎 ,  高田英一 ,  山地和裕 ,  上田英树

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40 ,  H05K3/46 ,  H01L21/60

Abstract: 安装电极位于多个树脂层中的位于最靠Z轴的正方向的位置的树脂层的正主面。在Z轴方向上观察，内部导体层与所述安装电极重叠。第1层间连接导体的Z轴的正方向上的端与所述安装电极接触。所述第1层间连接导体的Z轴的负方向上的端与内部导体层接触。物品具备与所述安装电极接合的连接构件。所述第1层间连接导体包含第1区域以及第2区域。所述第1区域以及所述第2区域朝向Z轴的负方向依次排列。所述第1区域的材料与所述安装电极的材料相同。所述第2区域的杨氏模量比所述第1区域的杨氏模量低。

公开(公告)号：CN1277352C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN03128667.4

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田英一 ,  山本康治 ,  乾谷源二 ,  門田道雄

IPC: H03H3/00 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L41/29 ,  H03H9/64 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156

Abstract: 提供一种电子部件的制造方法，该制造方法不需要特别的装置，且不需要昂贵的气体，该电子部件具有电阻率小且膜硬度高及弯曲少的由α相钨构成的电极膜。该电子部件的制造方法包括：在100～300℃的基板温度下，由溅射法在基板上形成由α相钨构成的电极膜的电极膜形成工序；加工该电极膜成所希望的形状的工序；热处理电极膜的工序。

公开(公告)号：CN1450718A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03128667.4

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田英一 ,  山本康治 ,  乾谷源二 ,  門田道雄

IPC: H03H3/00 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L41/29 ,  H03H9/64 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156

Abstract: 提供一种电子部件的制造方法，该制造方法不需要特别的装置，且不需要昂贵的气体，该电子部件具有电阻率小且膜硬度高及弯曲少的由α相钨构成的电极膜。该电子部件的制造方法包括：在100～300℃的基板温度下，由溅射法在基板上形成由α相钨构成的电极膜的电极膜形成工序；加工该电极膜成所希望的形状的工序；热处理电极膜的工序。

公开(公告)号：CN220915521U

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202290000285.7

申请日：2022-03-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 早川和久 ,  南谷直贵 ,  高田英一

IPC: H05K3/40 ,  H05K3/42

Abstract: 提供一种布线基板及层叠基板，布线基板(1)是包括绝缘层(10)和形成于绝缘层(10)的一个主面(10a)的导体层(20)的布线基板(1)，绝缘层(10)具有以导体层(20)为底且朝向绝缘层(10)的另一个主面(10b)开口的孔(80)，在孔(80)中，设置有与导体层(20)连接的第一过孔部(30)以及与第一过孔部(30)连接的第二过孔部(40)，第一过孔部(30)包括导电性构件，不包括树脂构件，第一过孔部(30)具有第一过孔部(30)的第二过孔部(40)侧的端面朝向第二过孔部(40)突出的突出部(35)，第二过孔部的一部分(40a)延伸至第一过孔部(30)的突出部(35)与绝缘层(10)之间，并且不与连接到第一过孔部(30)的导体层(20)相接。