公开(公告)号：CN1277352C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN03128667.4

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田英一 ,  山本康治 ,  乾谷源二 ,  門田道雄

IPC: H03H3/00 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L41/29 ,  H03H9/64 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156

Abstract: 提供一种电子部件的制造方法，该制造方法不需要特别的装置，且不需要昂贵的气体，该电子部件具有电阻率小且膜硬度高及弯曲少的由α相钨构成的电极膜。该电子部件的制造方法包括：在100～300℃的基板温度下，由溅射法在基板上形成由α相钨构成的电极膜的电极膜形成工序；加工该电极膜成所希望的形状的工序；热处理电极膜的工序。

公开(公告)号：CN1450718A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03128667.4

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田英一 ,  山本康治 ,  乾谷源二 ,  門田道雄

IPC: H03H3/00 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L41/29 ,  H03H9/64 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156

Abstract: 提供一种电子部件的制造方法，该制造方法不需要特别的装置，且不需要昂贵的气体，该电子部件具有电阻率小且膜硬度高及弯曲少的由α相钨构成的电极膜。该电子部件的制造方法包括：在100～300℃的基板温度下，由溅射法在基板上形成由α相钨构成的电极膜的电极膜形成工序；加工该电极膜成所希望的形状的工序；热处理电极膜的工序。