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公开(公告)号：CN101268528B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200680034323.6
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明的层叠型正特性热敏电阻的半导体陶瓷层，以BaTiO3系陶瓷材料为主成分，Ba位点和Ti位点之比为0.998～1.006且包括从La、Ce、Pr、Nd以及Pm中选择的至少一种元素作为半导体化剂。该层叠型正特性热敏电阻的内部电极层的厚度d以及半导体陶瓷层的厚度D满足d≥0.6μm且d/D＜0.2。从而，即使在实际测量烧结密度降低到理论烧结密度的65～95％这样的半导体陶瓷层的情况下，不采用热处理等烦杂的方法，也能实现室温电阻值随时间的变化率小的层叠型正特性热敏电阻。在半导体体化剂的含有量相对Ti100摩尔部为0.1～0.5摩尔部时，能进行1150℃的低温烧制，能够得到低的室温电阻值和足够大的电阻变化率。
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公开(公告)号：CN101268527B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200680034077.4
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
Abstract: 在本发明的层叠型正特性热敏电阻中，半导体陶瓷层以BaTiO3系陶瓷材料为主要成分，并且，Ba位点与Ti位点之比为0.998～1.006，作为半导体化剂而从Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm选择的至少一种元素相对于Ti100摩尔部含有0.1摩尔部以上0.5摩尔部以下。由此，即便是在实测烧结密度为理论烧结密度的65％～90％等烧结密度低的半导体陶瓷层情况下，也能够实现具有充分大的电阻变化率、且居里点以上的温度下的电阻上升系数高的层叠型正特性热敏电阻。
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公开(公告)号：CN101516802A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035937.0
申请日：2007-09-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/652 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明提供一种钛酸钡系半导体瓷组合物，其是居里温度高、室温下的电阻率低、呈现需要的电阻变化率的钛酸钡系半导体瓷组合物，还提供一种PTC元件。本发明的钛酸钡系半导体瓷组合物是至少含有钡和钛的钙钛矿结构的钛酸钡系半导体瓷组合物，钡的一部分至少被碱金属元素、铋及稀土元素置换，在将钛的含量设为100摩尔份时，作为碱金属元素、铋及稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系的(碱金属元素的含量)/{(铋的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上、1.06以下。PTC热敏电阻(1)具备由具有所述特征的钛酸钡系半导体瓷组合物构成的陶瓷坯料(20)和在其两侧面形成的电极(11，12)。
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公开(公告)号：CN100527289C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200480002193.9
申请日：2004-02-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01G4/232 , H01C1/148 , H01C7/18 , H01L41/0472
Abstract: 形成烧结的叠层主体2，使得内电极4和5的强度大于陶瓷层3的强度。每个内电极4和5的端部18从叠层主体2的端面6和7伸出并通过使用滚球以滚筒抛光处理而被变形，以便沿着端面6和7延伸。当在叠层主体2的端面6和7上形成外电极8和9时，可以得到较大的与内电极的接触面积。从而，高度地保证各电极之间电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN101516802B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200780035937.0
申请日：2007-09-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/652 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明提供一种钛酸钡系半导体瓷组合物，其是居里温度高、室温下的电阻率低、呈现需要的电阻变化率的钛酸钡系半导体瓷组合物，还提供一种PTC元件。本发明的钛酸钡系半导体瓷组合物是至少含有钡和钛的钙钛矿结构的钛酸钡系半导体瓷组合物，钡的一部分至少被碱金属元素、铋及稀土元素置换，在将钛的含量设为100摩尔份时，作为碱金属元素、铋及稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系的(碱金属元素的含量)/{(铋的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上、1.06以下。PTC热敏电阻(1)具备由具有所述特征的钛酸钡系半导体瓷组合物构成的陶瓷坯料(20)和在其两侧面形成的电极(11，12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101268527A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034077.4
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
Abstract: 在本发明的层叠型正特性热敏元件中，半导体陶瓷层以BaTiO3系陶瓷材料为主要成分，并且，Ba位点与Ti位点之比为0.998～1.006，作为半导体化剂而从Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm选择的至少一种元素相对于Ti100摩尔部含有0.1摩尔部以上0.5摩尔部以下。由此，即便是在实测烧结密度为理论烧结密度的65％～90％等烧结密度低的半导体陶瓷层情况下，也能够实现具有充分大的电阻变化率、且居里点以上的温度下的电阻上升系数高的层叠型正特性热敏元件。
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公开(公告)号：CN1739173A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002193.9
申请日：2004-02-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01G4/232 , H01C1/148 , H01C7/18 , H01L41/0472
Abstract: 形成烧结的叠层主体2，使得内电极4和5的强度大于陶瓷层3的强度。每个内电极4和5的端部18从叠层主体2的端面6和7伸出并通过使用滚球以滚筒抛光处理而被变形，以便沿着端面6和7延伸。当在叠层主体2的端面6和7上形成外电极8和9时，可以得到较大的与内电极的接触面积。从而，高度地保证各电极之间电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN101636798B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200880008620.2
申请日：2008-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/586 , H01C7/021 , H01C7/18
Abstract: 本发明提供一种层叠正温度系数热敏电阻，具有：陶瓷基体，其以主成分为BaTiO3形成并且交替层叠多个含有了半导体化剂的半导体陶瓷层(3a～3e)与内部电极(4a～4d)，且利用半导体陶瓷层(3a、3e)形成了最外层。并且，最外层形成保护层(5)并且利用内部电极(4a、4d)间所夹持的多个所述半导体陶瓷层而形成有效层(6)。保护层(5)含有具有比有效层(6)所含有的半导体氧化剂大的离子半径的半导体化剂，保护层(5)的空孔率比有效层(6)的空孔率低。优选在保护层(5)表面的空孔上形成玻璃膜，保护层(5)的空孔率在10％以下。由此，能够实现不会产生剥层、防止助熔剂浸入到半导体陶瓷层、确保希望的电阻变化率的层叠正温度系数热敏电阻。
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公开(公告)号：CN101636798A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008620.2
申请日：2008-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/586 , H01C7/021 , H01C7/18
Abstract: 本发明提供一种层叠正温度系数热敏电阻，具有：陶瓷基体，其以主成分为BaTiO 3 形成并且交替层叠多个含有了半导体化剂的半导体陶瓷层(3a～3e)与内部电极(4a～4d)，且利用半导体陶瓷层(3a、3e)形成了最外层。并且，最外层形成保护层(5)并且利用内部电极(4a、4d)间所夹持的多个所述半导体陶瓷层而形成有效层(6)。保护层(5)含有具有比有效层(6)所含有的半导体氧化剂大的离子半径的半导体化剂，保护层(5)的空孔率比有效层(6)的空孔率低。优选在保护层(5)表面的空孔上形成玻璃膜，保护层(5)的空孔率在10％以下。由此，能够实现不会产生剥层、防止助熔剂浸入到半导体陶瓷层、确保希望的电阻变化率的层叠正温度系数热敏电阻。
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