公开(公告)号：CN105321641B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510389036.8

申请日：2015-07-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 志村寿一 ,  伊藤和彦 ,  藤田一孝

IPC: H01C7/02 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/79 ,  H01C1/14 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明提供一种常温电阻率小且电阻温度系数α大的BaTiO3系半导体陶瓷组合物。该半导体陶瓷组合物，其特征在于，由通式(1)表示，包含0.010～0.050mol的Sr，并且Sr的摩尔比u与Bi的摩尔比x满足下述式(6)，(Ba1‑x‑y‑wBixAyREw)m(Ti1‑zTMz)O3(1)(A为选自Na或K中的至少一种，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少一种，w、x、y、z和m满足下述式(2)～(5)。0.007≤x≤0.125(2)；x

公开(公告)号：CN107010944A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710315872.0

申请日：2017-05-08

Applicant: 句容市博远电子有限公司

Inventor： 刘刚 ,  王梅凤 ,  汤成平 ,  高进 ,  唐敏 ,  薛云峰

IPC: C04B35/468 ,  H01C7/02 ,  H01C17/30

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  H01C7/025 ,  H01C17/30

Abstract: 本发明涉及一种PTC热敏电阻，包括如下原料：以原料总重为100％计，包括33.46％TiO2，5.72％Pb3O4，56.86％BaCO3，1.94％CaCO3，0.38％La2O3，0.03％Nb2O5，1.36％Mn(NO3)2和0.25％SiO2。本发明的备方法简单，操作方便，制得的PTC热敏电阻具有高居里点，并且耐压能力高。

公开(公告)号：CN102119133B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN200980131625.9

申请日：2009-07-24

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： J·伊勒 ,  W·卡尔 ,  B·斯泰因贝格尔

IPC: C04B35/468 ,  H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B28B7/24 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/32 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  F02M31/16 ,  F02M53/06 ,  H01C7/025

Abstract: 提供一种模制件(30)，该模制件(30)具有包含电瓷材料的第一区域(10)和包含结构陶瓷材料的第二区域(20)。另外，公开了一种带有该模制件的加热装置。另外，提供了一种用于制造模制件的方法。

公开(公告)号：CN102224119A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980147310.3

申请日：2009-12-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岸本敦司 ,  胜勇人 ,  后藤正人 ,  阿部直晃 ,  中山晃庆

IPC: C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/87 ,  Y10T428/256

Abstract: 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。

公开(公告)号：CN101022046B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710005316.X

申请日：2007-02-14

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 沟口义人 ,  冲村康之 ,  光冈健 ,  大林和重

IPC: H01C7/04 ,  H01C7/02 ,  H01C7/00 ,  G01K7/22

CPC classification number: H01C7/045 ,  C01G45/125 ,  C01G45/1264 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80 ,  H01C1/034 ,  H01C7/025

Abstract: 一种热敏电阻元件，包括热敏电阻主体和覆盖该热敏电阻主体的抗还原涂层。该热敏电阻主体含有由组成化学式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的钙钛矿相，其中A是至少一种A-位置元素，B是至少一种B-位置元素。抗还原涂层由含有所述至少一种A-位置元素中的一种或多种和所述至少一种B-位置元素中的一种或多种的复合氧化物形成。

公开(公告)号：CN101910088A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122787.1

申请日：2008-12-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 岛田武司

IPC: C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  H01C7/025

Abstract: 本发明提供一种包括BaTiO3的半导体陶瓷组合物，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替。该半导体陶瓷组合物能够实现跃变特性的任意控制，同时保持低的室温电阻率。该半导体陶瓷组合物包括BaTiO3，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替，该组合物在晶粒边界处具有P型半导体。在此情况下，并且通过改变P型半导体的存在率，例如通过改变煅烧条件、添加剂的添加量、烧结条件等等来改变P型半导体的存在率，从而任意地控制室温电阻率，同时保持高的跃变特性。

公开(公告)号：CN101889473A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200880119446.9

申请日：2008-12-02

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： J·伊尔 ,  W·卡尔

IPC: H05B3/14 ,  H05B3/50

CPC classification number: H05B3/50 ,  H01C7/025 ,  H05B3/141 ,  H05B2203/02 ,  H05B2203/021 ,  Y10T428/131

Abstract: 一种对流体进行加热的方法，所述方法包括以下步骤：提供注射成型的模型，所述模型包括具有正温度系数的陶瓷材料，所述陶瓷材料包含小于10ppm的金属杂质；以及使用所述注射成型的模型对流体进行加热。

公开(公告)号：CN101687714A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880020249.1

申请日：2008-06-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 胜勇人

IPC: C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/46 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85

Abstract: 本发明提供不含Pb、居里点高、而且电阻率低的具有PTC特性的半导体陶瓷材料。该半导体陶瓷材料是以通式：ABO 3 表示的具有PTC特性的半导体陶瓷材料，A包括Ba、Ca、碱金属元素、Bi及稀土类元素，B包括Ti。相对于100摩尔份Ti，Ca的含量为5～20摩尔份，较好是12.5～17.5摩尔份。碱金属元素的含量/(Bi的含量+稀土类元素的含量)优选为1.0～1.06的范围。较好是还含有Mn，其含量相对于100摩尔份Ti为0.01～0.2摩尔份。

公开(公告)号：CN101268528A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034323.6

申请日：2006-09-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 三原贤二良 ,  岸本敦司 ,  新见秀明

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/021 ,  H01C7/025 ,  H01C7/18

Abstract: 本发明的层叠型正特性热敏电阻的半导体陶瓷层，以BaTiO3系陶瓷材料为主成分，Ba位点和Ti位点之比为0.998～1.006且包括从La、Ce、Pr、Nd以及Pm中选择的至少一种元素作为半导体化剂。该层叠型正特性热敏电阻的内部电极层的厚度d以及半导体陶瓷层的厚度D满足d≥0.6μm且d/D＜0.2。从而，即使在实际测量烧结密度降低到理论烧结密度的65～95％这样的半导体陶瓷层的情况下，不采用热处理等烦杂的方法，也能实现室温电阻值随时间的变化率小的层叠型正特性热敏电阻。在半导体体化剂的含有量相对Ti100摩尔部为0.1～0.5摩尔部时，能进行1150℃的低温烧制，能够得到低的室温电阻值和足够大的电阻变化率。

公开(公告)号：CN1319086C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN01823237.X

申请日：2001-05-08

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： L·基尔斯坦

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025 ,  H01G4/0085

Abstract: 提出一种具有单体元件体的陶瓷质多层元件，它在元件体上具有交替地布置的陶瓷层和电极层。电极层交替地同两个从侧向布置在元件体上的集电极相连，其中，内在的电极的材料含有钨，因此至少含有钨或一种钨化合物。