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公开(公告)号：CN101800229B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010125750.3
申请日：2010-02-09
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/528 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/336 , H01L21/768 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/42384 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供一种显示装置，在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜；形成在上述栅极绝缘膜的上表面，且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜；隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜；跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成，且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内，并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层；以及分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。能降低截止电流并且降低截止漏电流，不增加制造工时而实现电路的集成化。
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公开(公告)号：CN101329485B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810108196.0
申请日：2008-05-30
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136213
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。在TFT衬底SUB上形成与该衬底的表面平行层叠的第一透明电极(PSL1)、第二透明电极(PSL2)和第三透明电极(PSL3)这三个层，在第一透明电极(PSL1)与第二透明电极(PSL2)之间、第二透明电极(PSL2)与第三透明电极(PSL3)之间，形成2个液晶电容的辅助电容。该液晶显示装置能够针对由高精细化导致的像素电极的面积降低而形成充分的辅助电容。
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公开(公告)号：CN100505315C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710112587.5
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78612 , H01L27/12 , H01L29/42384
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，消除在顶层栅极型薄膜晶体管的岛状半导体薄膜的端部发生的、由在硅薄膜端部处的栅极电场的集中和硅薄膜端部附近的固定电荷引起的阈值偏差而导致的电流成分。在岛状半导体薄膜(SEMI-I)的源极侧或漏极侧的某一单侧，使栅电极(GT)沿着该岛状半导体薄膜(SEMI-I)的轮廓不间断地延伸而设置分支闭路(DET)，取消作为子沟道的岛状半导体薄膜(SEMI-I)的端部的电流成分路径。
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公开(公告)号：CN101165907A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710166857.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L29/41733 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法，通过做成具有能够削减注入和光刻的工序数的结构的薄膜晶体管，缩短了制造所花费的时间。栅极电极(GT)具有薄的下层金属(GMB)与上层金属(GMT)的层叠结构，保持电容(Cst)部分的上层电极取为仅有下层金属(GMB)。而且，使保持电容(Cst)的下部电极用注入通过薄的下层金属(GMB)与源极/漏极的注入同时进行。(PMOSTFT)的栅极电极也取为仅有下层金属(GMB)，利用相同的抗蚀剂进行源极/漏极的注入和阈值调整注入。通过将薄膜晶体管和保持电容取为这样的结构，能够削减1个光刻工序和1个注入工序，能以更短的时间、更低廉的价格获得用于图像显示装置的有源矩阵基板。
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公开(公告)号：CN101800229A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010125750.3
申请日：2010-02-09
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L27/12 , H01L23/528 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/336 , H01L21/768 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/42384 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供一种显示装置，在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜；形成在上述栅极绝缘膜的上表面，且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜；隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜；跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成，且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内，并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层；以及分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。能降低截止电流并且降低截止漏电流，不增加制造工时而实现电路的集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101329485A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810108196.0
申请日：2008-05-30
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136213
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。在TFT衬底SUB上形成与该衬底的表面平行层叠的第一透明电极(PSL1)、第二透明电极(PSL2)和第三透明电极(PSL3)这三个层，在第一透明电极(PSL1)与第二透明电极(PSL2)之间、第二透明电极(PSL2)与第三透明电极(PSL3)之间，形成2个液晶电容的辅助电容。该液晶显示装置能够针对由高精细化导致的像素电极的面积降低而形成充分的辅助电容。
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公开(公告)号：CN101063758A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102222.4
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , G09G3/36 , G09G3/20 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/326 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种显示装置，谋求图像显示装置的低成本化。在绝缘基板上，具有多条栅极线、与上述多条栅极线矩阵状地交叉的多条信号线、以及多个薄膜晶体管，将多条栅极线取为层叠电极。由n沟道传导型和p沟道传导型这2种类型构成多个薄膜晶体管，一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线结构相同的层叠电极构成，另一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线的下层电极同层的电极构成。
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公开(公告)号：CN100592524C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710166857.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L29/41733 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法，通过做成具有能够削减注入和光刻的工序数的结构的薄膜晶体管，缩短了制造所花费的时间。栅极电极(GT)具有薄的下层金属(GMB)与上层金属(GMT)的层叠结构，保持电容(Cst)部分的上层电极取为仅有下层金属(GMB)。而且，使保持电容(Cst)的下部电极用注入通过薄的下层金属(GMB)与源极/漏极的注入同时进行。(PMOSTFT)的栅极电极也取为仅有下层金属(GMB)，利用相同的抗蚀剂进行源极/漏极的注入和阈值调整注入。通过将薄膜晶体管和保持电容取为这样的结构，能够削减1个光刻工序和1个注入工序，能以更短的时间、更低廉的价格获得用于图像显示装置的有源矩阵基板。
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公开(公告)号：CN100543536C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710102222.4
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , G09G3/36 , G09G3/20 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/326 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种显示装置，谋求图像显示装置的低成本化。在绝缘基板上，具有多条栅极线、与上述多条栅极线矩阵状地交叉的多条信号线、以及多个薄膜晶体管，将多条栅极线取为层叠电极。由n沟道传导型和p沟道传导型这2种类型构成多个薄膜晶体管，一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线结构相同的层叠电极构成，另一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线的下层电极同层的电极构成。
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公开(公告)号：CN101106162A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710112587.5
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78612 , H01L27/12 , H01L29/42384
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，消除在顶层栅极型薄膜晶体管的岛状半导体薄膜的端部发生的、由在硅薄膜端部处的栅极电场的集中和硅薄膜端部附近的固定电荷引起的阈值偏差而导致的电流成分。在岛状半导体薄膜(SEMI－I)的源极侧或漏极侧的某一单侧，使栅电极(GT)沿着该岛状半导体薄膜(SEMI－I)的轮廓不间断地延伸而设置分支闭路(DET)，取消作为子沟道的岛状半导体薄膜(SEMI－I)的端部的电流成分路径。
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