公开(公告)号：CN101226311B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200710300421.6

申请日：2007-12-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 河村哲史 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子 ,  丰田善章

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种可以提高像素的开口率的显示装置。在基板上的像素区域内，依次层叠有透明氧化物层、绝缘膜和导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅电极，上述透明氧化物层的至少使除了上述栅电极的正下方的沟道区域部以外的其他区域被导体化，且在该被导体化了的部分构成有源极信号线、与该源极信号线连接的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、以及与该像素电极连接的上述薄膜晶体管的漏极区域部。

公开(公告)号：CN101226311A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300421.6

申请日：2007-12-27

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 河村哲史 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子 ,  丰田善章

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种可以提高像素的开口率的显示装置。在基板上的像素区域内，依次层叠有透明氧化物层、绝缘膜和导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅电极，上述透明氧化物层的至少使除了上述栅电极的正下方的沟道区域部以外的其他区域被导体化，且在该被导体化了的部分构成有源极信号线、与该源极信号线连接的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、以及与该像素电极连接的上述薄膜晶体管的漏极区域部。