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公开(公告)号：CN101238754A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028928.4
申请日：2006-08-02
Abstract: 本发明提供一种超声波换能器(100)，其隔着空隙(4)而配置有基板(1)和隔膜(5)而形成，基板(1)在其内部或表面具有第一电极，隔膜(5)在其内部或表面具有第二电极。而且，在隔膜(5)或第二电极的表面或内部具备至少一个梁(7)。
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公开(公告)号：CN104646260A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410795280.X
申请日：2006-08-02
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明提供一种超声波换能器(100)，其隔着空隙(4)而配置有基板(1)和隔膜(5)而形成，基板(1)在其内部或表面具有第一电极，隔膜(5)在其内部或表面具有第二电极。而且，在隔膜(5)或第二电极的表面或内部具备至少一个梁(7)。
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公开(公告)号：CN102097584A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010522973.3
申请日：2010-10-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/095 , G11B5/3993 , H01L43/12
Abstract: 磁阻器件包括：晶片(4，64)；细长的半导体沟道(11)，在第一方向(14)延伸；以及至少两根导线(26)，提供与沟道的一组触点(27)。器件可以包括与沟道接触的可选的半导体分流器(8)。可选的分流器、沟道和触点组在垂直于第一方向和衬底的表面的第二方向(15)上相对于衬底堆叠。器件具有沿着沟道行进的侧面(30)。器件响应于通常垂直于侧面的磁场(31)。
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公开(公告)号：CN100579892C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710112586.0
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B81B7/007 , H01L2224/48091 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供角速度传感器、加速度传感器、综合传感器等的MEMS元件的密封和电极取出方法。在由底座支承部(10)所围的元件形成区域(DA)内形成有固定部(11)，在该固定部(11)上连接有梁(12)。而且，在梁(12)上连接有可动部(13)。此外，在元件形成区域(DA)内设有检测可动部(13)的位移的检测部(14)。在可动部(13)和检测部(14)上连接有布线部(15)，该布线部(15)从被气密密封的元件形成区域(DA)延伸到外侧的外部区域。布线部(15)贯穿底座支承部(10)连接在端子(17)上。在布线部(15)和底座支承部(10)之间形成有孔(16)，在该孔(16)内形成有绝缘膜(18)。由被埋入到该孔(16)的绝缘膜(18)使布线部(15)和底座支承部(10)绝缘。
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公开(公告)号：CN1118457A
公开(公告)日：1996-03-13
申请号：CN95107777.5
申请日：1995-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F7/70283 , G03F7/70433
Abstract: 本发明涉及一种光掩模，该光掩膜可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低，或防止产生不需要的投影像，且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形，通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103295591A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310052512.8
申请日：2013-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B13/04 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供一种磁头、头驱动控制装置、磁存储装置、控制方法。通过对垂直磁记录介质的微波辅助磁记录而实现窄磁道化。作为微波辅助记录磁头的记录磁极部，使用形成有使主要的记录磁场成分集中在记录间隙部(25)的磁芯的记录磁极部，并在其记录间隙内配置高频磁场振荡元件(40)。
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公开(公告)号：CN1979715A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610164502.3
申请日：2006-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , G02B6/357 , G02B6/358 , G02B6/3584 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063
Abstract: 本发明提供一种双稳态MEMS开关，其小型、结构简单、可低电压驱动、保持状态长期稳定、且和半导体集成电路的混载容易。包括：衬底(101)、与上述衬底(101)隔着空气隙(103)地设置并由静电力引起弹性形变的膜片(134)、设置于衬底(101)的开关驱动电极(102)、以及设置于膜片(134)的开关驱动电极107。并且，电荷蓄积电极(105)位于开关驱动电极(102)和开关驱动电极(107)之间，并设置于膜片(134)。当在电荷蓄积电极(105)上蓄积了电荷时，电荷蓄积电极(105)和开关驱动电极(102)之间产生静电力(F)，膜片(134)变形。
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公开(公告)号：CN1886006B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200610002116.4
申请日：2006-01-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时，降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9)，使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料，例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果，电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性，所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果，电声转换元件(9)的电声转换特性稳定，而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。
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公开(公告)号：CN1929699B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610105747.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H04R17/00
CPC classification number: B06B1/0292 , H04R19/005
Abstract: 提供一种电声变换元件，其特征在于，具有：在基板或者基板中形成的第一电极；以在上述基板上设置的硅或者硅化合物为基体材料的薄膜；在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极；在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层；将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层；以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。由此可以减小半导体振膜型电声变换元件中因泄漏等引起的电荷蓄积量和电声变换效率的变化，防止以该电声变换元件为基本单位构成的超声波阵列变换器的主束灵敏度的漂移和声音SN比与超声波束指向性的劣化。
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公开(公告)号：CN1928508A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610001247.0
申请日：2006-01-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G01F1/684
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/699 , G01P5/10
Abstract: 本发明提供一种流量传感器，能够通过在半导体衬底上隔着绝缘膜形成具有相对较高的TCR的金属膜来实现高灵敏度。作为热式流体流量传感器的测量元件包括：由第1金属膜构成的发热电阻体(3)、测温电阻体(上游侧测温电阻体(4a)和下游侧测温电阻体(4b))、以及空气温度测温电阻体(5)，由用溅射法在含金属的非晶质膜(9)上淀积得到的具有Ta结晶块的3倍或3倍以下电阻率的α－Ta膜形成上述第1金属膜。
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