公开(公告)号：CN102097584A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010522973.3

申请日：2010-10-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小川晋 ,  戴维·威廉斯 ,  福田宏 ,  鹫尾胜由

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/095 ,  G11B5/3993 ,  H01L43/12

Abstract: 磁阻器件包括：晶片(4，64)；细长的半导体沟道(11)，在第一方向(14)延伸；以及至少两根导线(26)，提供与沟道的一组触点(27)。器件可以包括与沟道接触的可选的半导体分流器(8)。可选的分流器、沟道和触点组在垂直于第一方向和衬底的表面的第二方向(15)上相对于衬底堆叠。器件具有沿着沟道行进的侧面(30)。器件响应于通常垂直于侧面的磁场(31)。

公开(公告)号：CN102097584B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201010522973.3

申请日：2010-10-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小川晋 ,  戴维·威廉斯 ,  福田宏 ,  鹫尾胜由

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/095 ,  G11B5/3993 ,  H01L43/12

Abstract: 磁阻器件包括：晶片(4，64)；细长的半导体沟道(11)，在第一方向(14)延伸；以及至少两根导线(26)，提供与沟道的一组触点(27)。器件可以包括与沟道接触的可选的半导体分流器(8)。可选的分流器、沟道和触点组在垂直于第一方向和衬底的表面的第二方向(15)上相对于衬底堆叠。器件具有沿着沟道行进的侧面(30)。器件响应于通常垂直于侧面的磁场(31)。