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公开(公告)号：CN1109628A
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：CN94119335.7
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F10/14
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/147 , H01F10/131 , H01F17/04 , H01F41/18 , H02K99/00
Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65—80％、M6—16％、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3—15％的Fe原子形成具有体心立方结构、平均粒度为5—14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均粒度为0.5—2nm的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500—560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。
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公开(公告)号：CN1079984C
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN94119335.7
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F10/14
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/147 , H01F10/131 , H01F17/04 , H01F41/18 , H02K99/00
Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65-80%、 M6-16%、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3-15%的Fe原子形成具有体心立方结构、平均晶粒尺寸为5-14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均晶粒尺寸为0.5-2的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500-560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。
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公开(公告)号：CN1006107B
公开(公告)日：1989-12-13
申请号：CN87103907
申请日：1987-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/31 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265
Abstract: 一种磁膜和使用这种磁膜(5，9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的，这些元素选自可填隙地溶于铁的元素：硼、氮、碳和磷，元素的含量是5～20％原子比。
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公开(公告)号：CN88101596A
公开(公告)日：1988-10-05
申请号：CN88101596
申请日：1988-03-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/115 , Y10T428/12632 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951
Abstract: 一种抗腐蚀铁磁膜和使用该铁磁膜的磁头。耐腐蚀膜除以铁为主要成分外，包括一种对于铁是间隙可溶的元素，还以0.5—5原子百分比的浓度包括从Ni，Rh，Ru，Pd，Zr，Nb，Ta，Ag，Os，Ir，Pt，Au，Cr，Mo，W，Ti，Bi，V，Co和Cu中选出的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN1161618A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN95121672.4
申请日：1995-12-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H04N5/782 , H04N5/7826
Abstract: 用与普通的磁头构形相同的磁头在公共记录媒体上记录和重放数字视频信号同时保持与现有模拟VTR实现功能互换的装置。通过磁头，把模拟视频和模拟音频信号分别在视频轨迹和底层的音频轨迹上记录和重放。另一方面，通过用于模拟音频记录的磁头，把数字视频和音频信号在两个相邻轨迹上记录和重放。在重放期间，识别信号产生电路产生鉴别记录的信号的识别信号，控制信号由识别信号进行PWM调制并通过磁头记录在控制轨迹上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1012234B
公开(公告)日：1991-03-27
申请号：CN88101596
申请日：1988-03-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/115 , Y10T428/12632 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951
Abstract: 一种抗腐蚀铁磁膜和使用该铁磁膜的磁头。耐腐蚀膜除以铁为主要成分外，包括一种对于铁是间隙可溶的元素，还以0.5～5原子百分比的浓度包括从Ni，Rh，Ru，Pd，Zr，Nb，Ta，Ag，Os，Ir，Pt，Au，Cr，Mo，W，Ti，Bi，V，Co和Cu中选出的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN87103907A
公开(公告)日：1987-12-09
申请号：CN87103907
申请日：1987-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/31 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265
Abstract: 一种磁膜和使用这种磁膜(5，9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的。这些元素选自可填隙地溶于铁的元素：硼、氮、碳和磷，元素的含量是5-20％原子比。
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公开(公告)号：CN1065645C
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN95103271.2
申请日：1995-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C01F7/162 , C01B33/20 , C01F7/16 , C01P2002/02 , C01P2002/70 , C23C14/08 , C23C30/00 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/53 , G11B15/61
Abstract: 本发明提供一种保护膜，设置在磁头的滑动面上时，其热膨胀系数、硬度与磁头基板的热膨胀系数、硬度接近，而且是用防水性好、成膜速度快的材料制成。所述保护膜，至少其一部分中包括成分CaMgSi2O6区域。此区域的原子配置是Ca以八配位与0结合，Mg以六配位与0结合，Si以四配位与0结合。
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公开(公告)号：CN1115459A
公开(公告)日：1996-01-24
申请号：CN95103271.2
申请日：1995-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/255
CPC classification number: C01F7/162 , C01B33/20 , C01F7/16 , C01P2002/02 , C01P2002/70 , C23C14/08 , C23C30/00 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/53 , G11B15/61
Abstract: 本发明提供一种保护膜，设置在磁头的滑动面上时，其热膨胀系数、硬度与磁头基板的热膨胀系数、硬度接近，而且是用防水性好、成膜速度快的材料制成。所说的保护膜，至少其一部分中包括成分CaMgSi2O6区域。此区域的原子配置是Ca以八配位与0结合，Mg以六配位与0结合，Si以四配位与0结合。
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公开(公告)号：CN1005941B
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：CN87106513
申请日：1987-09-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/147 , G11B5/31 , H01F10/30 , H01F10/324 , H01F10/3254 , Y10S428/90
Abstract: 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构，包括互相变替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成，各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。
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