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公开(公告)号：CN1079984C
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN94119335.7
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F10/14
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/147 , H01F10/131 , H01F17/04 , H01F41/18 , H02K99/00
Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65-80%、 M6-16%、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3-15%的Fe原子形成具有体心立方结构、平均晶粒尺寸为5-14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均晶粒尺寸为0.5-2的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500-560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1455979A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN02800041.2
申请日：2002-06-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B25/043 , G11B19/2009
Abstract: 一种磁盘驱动器包括：一基部，该基部构成被包括在一外壳中的至少一表面；一轴，该轴固定在基部上；一转子，该转子围绕作为旋转轴线的轴旋转；一定子，该定子用于旋转转子；以及一磁盘，该磁盘固定在转子上；其中，定子设置在一面向基部的表面上。这提高了磁盘驱动器的耐用性。
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公开(公告)号：CN1109628A
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：CN94119335.7
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F10/14
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/147 , H01F10/131 , H01F17/04 , H01F41/18 , H02K99/00
Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65—80％、M6—16％、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3—15％的Fe原子形成具有体心立方结构、平均粒度为5—14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均粒度为0.5—2nm的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500—560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。
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公开(公告)号：CN1653484A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810736.8
申请日：2003-09-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , H01L24/83 , H01L2223/6677 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/8182 , H01L2224/81903 , H01L2224/83102 , H01L2224/83851 , H01L2224/92125 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07811 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种RFID标签，该RFID标签包括金属制的天线、和端子与该天线接合的半导体器件，通过采用通过金属接合把比0.5mm见方还小的半导体器件与该天线接合起来的结构，能够实现连接不合格少的效果。
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公开(公告)号：CN1065645C
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN95103271.2
申请日：1995-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C01F7/162 , C01B33/20 , C01F7/16 , C01P2002/02 , C01P2002/70 , C23C14/08 , C23C30/00 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/53 , G11B15/61
Abstract: 本发明提供一种保护膜，设置在磁头的滑动面上时，其热膨胀系数、硬度与磁头基板的热膨胀系数、硬度接近，而且是用防水性好、成膜速度快的材料制成。所述保护膜，至少其一部分中包括成分CaMgSi2O6区域。此区域的原子配置是Ca以八配位与0结合，Mg以六配位与0结合，Si以四配位与0结合。
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公开(公告)号：CN1115459A
公开(公告)日：1996-01-24
申请号：CN95103271.2
申请日：1995-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/255
CPC classification number: C01F7/162 , C01B33/20 , C01F7/16 , C01P2002/02 , C01P2002/70 , C23C14/08 , C23C30/00 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/53 , G11B15/61
Abstract: 本发明提供一种保护膜，设置在磁头的滑动面上时，其热膨胀系数、硬度与磁头基板的热膨胀系数、硬度接近，而且是用防水性好、成膜速度快的材料制成。所说的保护膜，至少其一部分中包括成分CaMgSi2O6区域。此区域的原子配置是Ca以八配位与0结合，Mg以六配位与0结合，Si以四配位与0结合。
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