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公开(公告)号:CN1012234B
公开(公告)日:1991-03-27
申请号:CN88101596
申请日:1988-03-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/115 , Y10T428/12632 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951
Abstract: 一种抗腐蚀铁磁膜和使用该铁磁膜的磁头。耐腐蚀膜除以铁为主要成分外,包括一种对于铁是间隙可溶的元素,还以0.5~5原子百分比的浓度包括从Ni,Rh,Ru,Pd,Zr,Nb,Ta,Ag,Os,Ir,Pt,Au,Cr,Mo,W,Ti,Bi,V,Co和Cu中选出的至少一种元素。
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公开(公告)号:CN87103907A
公开(公告)日:1987-12-09
申请号:CN87103907
申请日:1987-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/31 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265
Abstract: 一种磁膜和使用这种磁膜(5,9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的。这些元素选自可填隙地溶于铁的元素:硼、氮、碳和磷,元素的含量是5-20%原子比。
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公开(公告)号:CN1005941B
公开(公告)日:1989-11-29
申请号:CN87106513
申请日:1987-09-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/147 , G11B5/31 , H01F10/30 , H01F10/324 , H01F10/3254 , Y10S428/90
Abstract: 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构,包括互相变替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成,各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。
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公开(公告)号:CN87106513A
公开(公告)日:1988-04-13
申请号:CN87106513
申请日:1987-09-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/147 , G11B5/31 , H01F10/30 , H01F10/324 , H01F10/3254 , Y10S428/90
Abstract: 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构,包括互相交替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成,各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。
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公开(公告)号:CN1006107B
公开(公告)日:1989-12-13
申请号:CN87103907
申请日:1987-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/31 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265
Abstract: 一种磁膜和使用这种磁膜(5,9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的,这些元素选自可填隙地溶于铁的元素:硼、氮、碳和磷,元素的含量是5~20%原子比。
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公开(公告)号:CN88101596A
公开(公告)日:1988-10-05
申请号:CN88101596
申请日:1988-03-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/115 , Y10T428/12632 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951
Abstract: 一种抗腐蚀铁磁膜和使用该铁磁膜的磁头。耐腐蚀膜除以铁为主要成分外,包括一种对于铁是间隙可溶的元素,还以0.5—5原子百分比的浓度包括从Ni,Rh,Ru,Pd,Zr,Nb,Ta,Ag,Os,Ir,Pt,Au,Cr,Mo,W,Ti,Bi,V,Co和Cu中选出的至少一种元素。
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