公开(公告)号：CN100536323C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN01810964.0

申请日：2001-08-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山下喜市 ,  田上知纪 ,  太部功 ,  关根健治

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F3/19 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/347 ,  H03F2200/444

Abstract: 提供一种在具有高效率、高破坏耐量并同时具有对于在负载变动时从天线端部等反射而产生的驻波中保护放大器件不受破坏的功能的功率放大器模块。通过对最末级放大GaAs-HBT的基极过电流进行检测和抵消而予以限制，可以预防集电极电流的增加而防止破坏。并且，通过同时采用相应于电源电压提高而递降无功电流的功能和与输出级GaAs-HBT并联的二极管的削波功能，可避免输出级GaAs-HBT上承受超过需要的电压及电流。并且，对GaAs-HBT及基极电流供给源的制造偏差及温度变动抵抗力强而成本低。

公开(公告)号：CN1436398A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN01810964.0

申请日：2001-08-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山下喜市 ,  田上知纪 ,  太部功 ,  关根健治

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F3/19 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/347 ,  H03F2200/444

Abstract: 提供一种在具有高效率、高破坏耐量并同时具有对于在负载变动时从天线端部等反射而产生的驻波中保护放大器件不受破坏的功能的功率放大器模块。通过对最末级放大GaAs－HBT的基极过电流进行检测和抵消而予以限制，可以预防集电极电流的增加而防止破坏。并且，通过同时采用相应于电源电压提高而递降无功电流的功能和与输出级GaAs－HBT并联的二极管的削波功能，可避免输出级GaAs－HBT上承受超过需要的电压及电流。并且，对GaAs－HBT及基极电流供给源的制造偏差及温度变动抵抗力强而成本低。