公开(公告)号：CN100498946C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200410045181.6

申请日：2004-04-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡边诚 ,  宫田一智 ,  太田辉之 ,  飞田实

IPC: G11B11/105 ,  G11B20/10 ,  G11B7/004

CPC classification number: G11B11/10597 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/24082 ,  G11B7/24094 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10584 ,  G11B19/122 ,  G11B20/00086 ,  G11B20/00268

Abstract: 一种具有小尺寸直径和大容量的、并能够记录和再现盘识别信息的磁光盘，及其记录方法和再现方法，其中记录层包括记录第一信息的主记录区域、记录包括盘识别信息的第二信息的副记录区域、和形成于该主记录区域和该副记录区域之间的缓冲区域，且该缓冲区域记录第三信息，该记录层提供于基底上，该第二信息通过在该副记录区域和该缓冲区域中以条纹形状形成的标记阵列来记录，通过改变该记录层的磁化状态，得到多个标记构成该标记阵列，并且通过沿着该盘的周向的一反射率的调制信号来再现该第三信息。

公开(公告)号：CN1945713A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610153854.9

申请日：2003-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青山信秀 ,  秋山良太 ,  森本宁章 ,  细川哲夫

IPC: G11B11/105 ,  G11B7/00 ,  G11B20/10

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B7/0052 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/126 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10543 ,  G11B11/10578 ,  G11B11/10597 ,  G11B20/0021 ,  G11B20/1217 ,  G11B20/1426 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2020/1242 ,  G11B2020/1248 ,  G11B2020/1274 ,  G11B2020/1461

Abstract: 一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再生RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域的基板；以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再生的激光的波长)。

公开(公告)号：CN1711602A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380103309.3

申请日：2003-10-21

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·A·维斯楚伦 ,  F·滋普

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10515 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584

Abstract: 本发明涉及一种具有改良的读出性能的磁畴扩展存储介质和制造方法。该存储介质的基板和/或它的存储层被处理，以定义适配于热读取剖面的前部的磁畴的预定形状。具体地说，定义在轨道方向上翻转的反向月牙形磁畴。这改良了分辨率和抖动值。

公开(公告)号：CN1659648A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813359.8

申请日：2003-05-21

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·A·维斯楚伦

IPC: G11B11/05

CPC classification number: G11B20/10333 ,  G11B11/10508 ,  G11B11/10513 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10528 ,  G11B20/1426

Abstract: 获得了一种使磁畴膨胀读取提高的磁光记录技术。将标记区记录为子标记部分和相邻的子空间部分，其中根据标记和空间的所述图形改变所述预定的第一和第二长度的总和。提出的写措施允许用具有选定的与通道位长度无关的子标记和/或子空间长度来写长运行长度，由此可以用几个精心挑选的磁畴写长运行长度，杂散磁场大于用于MAMMOS读取的最小磁场。以此方式，对于短和长运行长度的所有组合，可以消除读取条件中的差异，从而显著提高了用于随机数据的功率裕度。

公开(公告)号：CN1615517A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN03802095.5

申请日：2003-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青山信秀 ,  秋山良太 ,  森本宁章 ,  细川哲夫

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B7/0052 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/126 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10543 ,  G11B11/10578 ,  G11B11/10597 ,  G11B20/0021 ,  G11B20/1217 ,  G11B20/1426 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2020/1242 ,  G11B2020/1248 ,  G11B2020/1274 ,  G11B2020/1461

Abstract: 一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再现RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。

公开(公告)号：CN1526135A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02812153.8

申请日：2002-06-11

Applicant: 皇家菲利浦电子有限公司

Inventor： C·A·维尔舒伦 ,  B·范罗姆佩伊 ,  P·W·M·布洛姆 ,  J·J·L·霍里克斯 ,  H·W·范凯斯特伦

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10528 ,  G11B11/10508 ,  G11B11/10513 ,  G11B11/10515

Abstract: 本发明涉及一种磁光记录技术，根据这一技术，实现了改进的磁畴扩展读取。把一个标记按子标记部分和一个相邻的子空白部分加以记录，其中，把子标记部分的长度设置为小于或等于子空白部分的长度。因而，可以量化由于记录数据的不同的游程长度所引发的杂散场的变化，甚至是对于短通道比特长度，同时改进了分辨率和/或剩余功率。

公开(公告)号：CN100426397C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN03141205.X

申请日：2003-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  土屋裕子 ,  松本拓也 ,  小島恭子

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/00

CPC classification number: G11B5/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/122 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24085 ,  G11B7/24088 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/26 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  G11B2005/0002 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明的信息记录介质、信息记录、重放方法通过设置光吸收金属或电介质或记录材料的超微小粒子适当规则排列的层，来实现高速记录和高密度记录。通过超微小粒子的共谐等离子体振子激发、共谐吸收等，使记录标记的端部(边沿)的位置正确，能够在多层的情况下通过波长只在特定的层引起强吸收，能够实现高密度大容量的记录。

公开(公告)号：CN1759443A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN03826136.7

申请日：2003-03-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 细川哲夫

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10576 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10597

Abstract: 一种磁光记录介质，在形成在基板上的光学相位坑上形成磁光记录薄膜，可以使相位坑信号和形成在其上的记录膜信号两者再生；当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把照射了偏振光方向的光束时的前述相位坑的调制度设为Y(％)时，其中，该偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向，满足以下条件：344X－8.12≥Y且Y≥286X－10.7，0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。这样，可以获得把MO信号和相位坑信号的抖动抑制为所期望的小于等于10％、且不发生裂纹、而重复记录特性也充分的磁光记录介质。

公开(公告)号：CN1758354A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510097809.1

申请日：2005-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中谷守雄 ,  鹫见聪

IPC: G11B11/105 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B11/10584 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B11/10528

Abstract: 一种光磁记录介质及层构造。在基板(10)上形成微细的凹凸构造(10a)，在其上形成磁性层(20)。凹凸构造(10a)被反映到磁性层(20)上。利用被反映的凹凸构造，对再现激光产生多重反射。当对再现激光产生多重反射时，在每次用磁性层(20)进行反射时，克尔旋转作用被叠加。这样，就能够观察到对再现激光的克尔旋转角的增大效果。另外，由反映到磁性层(20)上的凹凸构造，磁性层(20)的表面积增大。由此，就可以促进利用激光照射产生的磁性层(20)的温度上升。另外，由于施加磁场向凹凸构造的头端部集中，因此就可以提高凹凸构造部分的磁场强度。这样，磁性层(20)对于激光及施加磁场的记录灵敏度增大。

公开(公告)号：CN1701367A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN03825227.9

申请日：2003-05-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 细川哲夫 ,  相田智之 ,  芳贺英和

IPC: G11B11/105 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B11/10597 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10541 ,  G11B11/10584

Abstract: 一种磁光盘(11)包含基板(12)。相槽(13)形成在基板(12)的表面上。基于相槽(13)记录RAM信息。底涂层膜(14)、磁记录膜(15)、涂层膜(17)和反射膜(18)覆盖在相槽(13)上。RAM信息记录在相槽(13)上方的磁记录膜(15)中。将基板(12)的第一和第二双折值之间的差设置成等于或者小于37nm。为单向穿过所述基板的光束测量第一双折射值，所述基板保持绕与该光束在所述基板上的投影处的相槽序列相切的切线相对于与该光束垂直的基准平面旋转20度倾斜角α的姿态。为单向穿过所述基板的光束测量第二双折射值，所述基板保持绕在包括垂直于所述相槽序列的方向上的基板表面的平面内延伸的直线相对于所述基准平面旋转20度倾斜角α的姿态。在ROM和RAM信息的读出中可以减小波动。