公开(公告)号：CN105074045B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201480009608.9

申请日：2014-04-03

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 斋藤淳 ,  森理惠

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  G11B7/2548 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/257 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

Abstract: 本发明的氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，并具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。

公开(公告)号：CN104136655A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380008362.9

申请日：2013-02-06

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 斋藤淳 ,  森理惠

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/453 ,  G11B7/257 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/254 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/257 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25411 ,  G11B2007/25414 ,  G11B2007/25417 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明提供一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶作为光记录介质保护膜形成用靶，可形成保存性高、具有柔韧性而不易破裂的膜，并且能够进行直流溅射，在进行溅射时颗粒少。氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即相对于金属成分总量，含有共计0.15at％以上的Al、Ga及In中的一种以上和7at％以上的Sn，其中Al、Ga、In及Sn共计36at％以下，余量由Zn及不可避免杂质构成。

公开(公告)号：CN1839052B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200480023951.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 三菱化学媒体股份有限公司

Inventor： 清野贤二郎

IPC: B41M5/26 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/0045 ,  G11B7/00451 ,  G11B7/00452 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明提供了一种能够以高密度记录信息的记录介质，尤其是一种对于宽范围的记录功率具有有利的记录信号特性的一次写入多次读取的光学记录介质。所述记录介质具有记录层，并通过加热所述记录层而进行记录。所述记录介质的特征在于所述记录层包含物质A和物质B，所述物质A当在记录期间进行加热时记录层所达到的温度下分解，而物质B在上述温度下不会发生化学反应或相变。

公开(公告)号：CN101061541B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580039900.6

申请日：2005-11-17

Applicant: 索尼碟片数位解决方案股份有限公司

Inventor： 杉浦吉浩 ,  小板桥健

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/24038 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/256 ,  G11B7/257 ,  G11B7/259 ,  G11B7/263 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明公开了一种通过结合压模盘(20)和L0层盘(10)从而具有希望厚度的光盘。压模盘(20)的一主侧提供了要转移到L1层的精细的凸起和凹入，并且在通过将所述凸起和凹入从压模盘(20)转移至其而在中间层(32)上形成小的凸起和凹入之后，进行压模盘(20)和L0层盘(10)的结合。

公开(公告)号：CN100530381C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200480032484.2

申请日：2004-11-01

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： L·范皮德森 ,  J·C·N·里帕斯

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/2403 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/259

Abstract: 描述了一种利用聚焦辐射光束的高速记录可重写光学数据存储媒体(20)。该媒体(20)包括承载多个层(2)的基底(7)，所述多个层(2)包括，基本上透明的第一辅助层I1(3)，厚度为dI2的基本上透明的第二辅助层I2(5)，和厚度为dp并且包括至少一种GexSnySb1-x-y化合物的相变材料的记录层(4)，其中0.05＜x＜0.30且0.15＜y＜0.30。记录层(4)被设置在I1和I2之间。厚度为d13的用于散热的第三辅助层I3(6)被设置在与记录层相背的I2侧。满足以下不等式λI2/dI2＞5*108W m-2K-1，其中λI2是I2层材料的热传导系数。所以提供了一种能够以大约35M/S或者更高的相对较高的线性记录速度进行记录的光学数据存储媒体。

公开(公告)号：CN101322191A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000480.X

申请日：2007-01-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐飞裕一 ,  池田悦郎

IPC: G11B7/254 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257

CPC classification number: G11B7/257 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2437 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2578 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  Y10T428/31663

Abstract: 即使显示出大体积膨胀的记录材料用作信息记录介质的记录膜，也可保证高的耐久性。信息记录介质(10)在基板(1)上具有记录膜(6)和介电体膜(4)。所述记录膜(6)由用光能照射时显示出体积膨胀的记录材料组成。所述介电体膜(4)由ZrO2和Cr2O3组成。即使所述记录材料显示出由光能照射引发的体积膨胀，也仍可防止介电体膜(4)开裂并防止水分进入记录膜(6)。

公开(公告)号：CN100439557C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03821407.5

申请日：2003-08-06

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢作政隆 ,  高见英生

IPC: C23C14/34 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/257 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/243 ,  G11B7/254 ,  G11B7/266 ,  Y02T50/67

Abstract: 一种以硫化锌为主成分、且含有氮化物的膜折射率调整在2.0～2.7的范围的溅射靶以及使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。依据本发明，可得到一种以溅射形成薄膜之际，可减少溅射时所产生的粒子或结球，使得品质的变动少、批量生产率得以提升，且晶粒微细，体电阻值为5×10-2Ωcm以下、并具备85%以上的高密度的以硫化锌为主成分的溅射靶以及使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。

公开(公告)号：CN100388372C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200380107887.4

申请日：2003-12-18

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： R·维鲁特斯 ,  W·R·科珀 ,  P·H·沃尔里 ,  M·范施恩德

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/24038 ,  G11B7/2403 ,  G11B7/24067 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种可重写式光学记录载体，其包括承载第一记录叠层的第一基板，该记录叠层包括：第一介电层、包括相变记录材料的记录层、第二介电层、和金属镜面层。为了实现最大的R*M，所述第一介电层具有20nm～50nm的厚度d1，并且当镜面层包括铝时，所述第二介电层具有根据下列关系的厚度d2，即，0.0225*d22-2.6572*d2+173.3(nm)＜d1＜0.0225*d22-2.6572*d2+213.3(nm)；当镜面层包括银时，所述第二介电层具有根据下列关系的厚度d2，即0.0191*d22-2.0482*d2+149.6(nm)＜d1＜0.0191*d22-2.0482*d2+189.6(nm)。

公开(公告)号：CN101171633A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200680014783.2

申请日：2006-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 盐野照弘 ,  伊藤达男

IPC: G11B7/244 ,  G11B7/004 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/09 ,  G11B7/125 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/241 ,  G11B7/245 ,  G11B7/25 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2007/24624

Abstract: 本发明提供一种信息记录介质，其具有：基板；和记录部，可在上述基板上将记录凹坑以三维进行记录；其中，上述记录部具有：多个记录层，通过对其聚集具有波长λ2的记录光来对上述记录凹坑进行记录，并且，通过对其聚集具有短于上述波长λ2的波长λ1的再生光来使上述记录凹坑再生；和中间层，与上述记录层交替层叠；其中，记录层中的未记录区域对记录光波长λ2的反射率，小于记录层中的未记录区域对再生光波长λ1的反射率。

公开(公告)号：CN100358028C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN03156850.5

申请日：2003-09-10

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 宫本真 ,  安斋由美子 ,  田村礼仁 ,  柏仓章 ,  梅泽和代 ,  白井宽 ,  碇喜博 ,  饭村诚

IPC: G11B7/24 ,  G11B11/00

CPC classification number: G11B7/257 ,  C22C28/00 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/243 ,  G11B7/252 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 本发明涉及通过照射能束进行信息记录的信息记录媒体。本发明可得到在内周部进行信息记录时不发生再结晶化、在多次改写时再生信号劣化也少、在外周部非晶态的残留也少的CAV方式相变光盘。本发明的信息记录媒体的特征是，具备基片、及从激光束入射侧设置第1保护层、第1热稳定性层、记录层、第2热稳定性层、第2保护层、吸收率抑制层、热扩散层；记录层材料的组成比是由以三角组成图上的组成点B3(Bi3，Ge46，Te51)、C3(Bi4，Ge46，Te50)、D3(Bi5，Ge46，Te49)、D5(Bi10，Ge42，Te48)、C5(Bi10，Ge41，Te49)B5(Bi7，Ge41，Te52)包围的范围。