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公开(公告)号：CN1922675A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005930.5
申请日：2005-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B5/02 , G11B5/725
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/1278 , G11B5/3967 , G11B5/66 , G11B5/72 , G11B5/725 , G11B5/8408 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10593 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明的目的在于，在通过从膜面照射光来进行信号的记录再现的磁记录介质中，提供一种可靠性高、耐热性优良的记录介质。为此，在形成于盘基板上的至少具有磁性各向异性的记录膜上，隔着热传导率小于记录膜的热传导率的保护层，形成润滑层。
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公开(公告)号：CN1201316C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN01137436.5
申请日：2001-11-13
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 广木知之
CPC classification number: G11B11/10515 , G11B11/10593
Abstract: 一种磁光记录介质，其中利用光束再现信息，该记录介质包括：一个再现层，其中在通过移动畴壁放大记录磁畴的同时再现信息；一个记录层，用于保持与信息相对应的记录磁畴；及一个截断层，布置在所述再现层与所述记录层之间，并且具有比所述再现层和所述记录层的居里温度都低的居里温度，其中记录介质满足如下条件：(Tr-RT)/(Tc2-RT)≥1.8，其中Tr表示通过所述光束形成在所述再现层上的温度分布中的最大温度，Tc2表示所述截断层的居里温度，以及RT表示室温。
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公开(公告)号：CN100350480C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03811444.5
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G11B7/00454 , B82Y10/00 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B11/10504 , G11B11/10515 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B11/10593 , G11B11/10597
Abstract: 提供一种利用记录介质的记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散的相变和/或磁光记录法、一种使用该方法在其上记录的记录介质、以及一种用于该记录介质的记录和再现装置。相变记录法包括通过激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数。磁光记录法包括在利用激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变记录层中的磁化方向。还提供了一种基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的记录方法。
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公开(公告)号：CN1241192C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02812643.2
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B11/105 , C23C14/34
CPC classification number: G11B11/10582 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C14/568 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B11/10589 , G11B11/10593 , H01J37/3405
Abstract: 一种用于本发明的光盘的薄膜沉积方法，其包括步骤(a)：把光盘基板传送至真空室；步骤(b)：把光盘基板相对目标靶放置，所述目标靶包括薄膜形成材料，目标靶被设置在真空室中，和步骤(c)：通过使用目标靶的溅射方法在光学基板上形成预定的薄膜，光盘基板被固定，在它的轴上旋转或回转。当目标靶具有a的半径并且光盘基板具有D的半径时，满足a＞2×D。利用这种构造，形成具有高密度的光盘均匀的薄膜是可能的。
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公开(公告)号：CN1520591A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN02812643.2
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B11/105 , C23C14/34
CPC classification number: G11B11/10582 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C14/568 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B11/10589 , G11B11/10593 , H01J37/3405
Abstract: 一种用于本发明的光盘的薄膜沉积方法，其包括步骤(a)：把光盘基板传送至真空室；步骤(b)：把光盘基板相对目标靶放置，所述目标靶包括薄膜形成材料，目标靶被设置在真空室中，和步骤(c)：通过使用目标靶的溅射方法在光学基板上形成预定的薄膜，光盘基板被固定，在它的轴上旋转或回转。当目标靶具有a的半径并且光盘基板具有D的半径时，满足a＞2×D。利用这种构造，形成具有高密度的光盘均匀的薄膜是可能的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1500267A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02807321.5
申请日：2002-03-26
Applicant: 日立麦克塞尔株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10515 , G11B11/10584 , G11B11/10593
Abstract: 本发明涉及光磁记录介质及其再生方法，具体说是涉及能以可靠的、充分的再生信号强度将高密度记录的信息进行再生的光磁记录介质及其再生方法。该光磁记录介质，具有记录层(5)、中间层(4)及再生层(3)，再生层(3)由稀土类金属占优势的稀土类过渡金属合金形成，中间层(4)及记录层(5)由过渡金属占优势的稀土类过渡金属合金形成。中间层(4)因在超过140℃时表现为面内磁化，所以在再生时隔断记录层(5)与再生层(3)的交换结合力。通过中间层(4)的磁畴与再生层的磁畴的静磁斥力，复制到再生层(3)上的磁畴(3A)扩大到最小磁畴径的大小。通过磁畴扩大再生，能够获得不产生重叠信号的放大了的再生信号。
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公开(公告)号：CN1310443A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN01103233.2
申请日：2001-02-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10584 , Y10S428/90 , Y10T428/1171
Abstract: 提供一种磁光记录介质,其记录层6记录和存储信息,并包括多个层:即第一层6a和第二层6b。第一层6a由饱和磁化与亚晶格磁化方向平行的记录材料制成。第二层6b由在室温下饱和磁化与亚晶格磁化方向反平行的记录材料制成。用于第二层6b的材料在读出温度附近饱和磁化与亚晶格磁化方向平行。
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公开(公告)号：CN1682300A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822089.X
申请日：2003-08-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·N·菲利普
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B11/10593
Abstract: 本发明涉及一种磁光存储介质(200)，特别涉及畴膨胀存储介质。该介质(200)包括用于长期存储信息的磁存储层(107)，以及磁性耦合到该层的磁性再现或读出层(111)，其中在读出期间可以产生增强的磁畴。磁性层(107、111)被非金属的或金属的、非磁性的或磁性的层(109)分隔开，并且至少一层金属层(201、203)(例如钯或铂)与磁性再现层(111)相邻放置。该金属层(201、203)优选位于磁性再现层(111)的每侧上。(多个)金属层(201、203)提供增加的热消散以及克尔效应，并由此允许磁光存储介质(200)具有增加的数据密度。
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公开(公告)号：CN1656547A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811444.5
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G11B7/00454 , B82Y10/00 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B11/10504 , G11B11/10515 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B11/10593 , G11B11/10597
Abstract: 提供一种利用记录介质的记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散的相变和/或磁光记录法、一种使用该方法在其上记录的记录介质、以及一种用于该记录介质的记录和再现装置。相变记录法包括通过激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数。磁光记录法包括在利用激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变记录层中的磁化方向。还提供了一种基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的记录方法。
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公开(公告)号：CN1577557A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410075126.1
申请日：1998-03-06
Applicant: 夏普公司
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B11/10515 , G11B11/10586 , G11B11/10593
Abstract: 一种磁光存储介质，包括：由垂直磁化膜制成的记录层；至少在信号再现畴内成为垂直磁化状态，并与所述记录层磁耦合的再现层；和磁屏蔽层，与所述再现层分开设置，根据伴随着在所述信号再现畴的温度升高的磁化的降低来控制所述记录层和再现层之间的磁耦合。在低于预定温度的温度，屏蔽在记录层以高密度记录的信号。然而，在高于预定温度的温度，在形成部分平面内磁化层的磁畴中，记录层和再现层静磁耦合，记录层的记录比特复制并扩展到再现层中的磁畴中。因此，能以高信号质量再现信息。
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