作业内容检测判定装置以及作业内容检测判定系统

    公开(公告)号:CN113631901B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202080024412.2

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 在作业检测判定系统中,以高精度来检测判定作业。一种作业检测判定系统,具有:手套,被佩戴于作业人员的手且具有对通过手对作业对象的接触而由手对作业对象施加的手动作的作业音进行检测的麦克风,对手动作的作业的压力进行检测的压力传感器,对手动作的移动进行检测的移动传感器,用于发送麦克风的音信号、压力传感器的压力信号、以及移动传感器的移动信号的发送部;接收部,接收从发送部被发送的音信号、压力信号、以及移动信号;作业判定部,使用音信号、压力信号、以及移动信号,进行作业人员的作业内容的检测判定;以及通知部,对作业判定部的判定结果进行通知。

    压力传感器以及可穿戴传感器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117848553A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311273583.0

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明提供一种技术,在薄的作业手套的指尖组装有膜状的压力传感器的手套型的可穿戴传感器中,能够发出准确地仅反映了真正应检测的压力的传感器信号。该压力传感器是组装于手套型的可穿戴传感器的指尖的膜状的压力传感器,将三维正交坐标系中的3个坐标轴方向分别设为上下方向、压力传感器的长度方向以及压力传感器的宽度方向,至少一个以上的柔性基板与一个片状的压敏元件在上下方向层叠而成,在佩戴该可穿戴传感器之后仅检测施加于佩戴者的指尖的压力。

    可穿戴传感器以及可穿戴传感器系统

    公开(公告)号:CN117053856A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310402574.0

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 一种可穿戴传感器以及可穿戴传感器系统,能够容易地进行可穿戴传感器的构成的重组。可穿戴传感器佩戴于人体,其具有:层状体,该层状体在人体的手腕至手的指尖之间以包围身体的形状形成至少一部分重合的至少两个层,以及至少一个传感器,设置于所述至少两个层中的至少一个层。

    感测数据校正系统以及感测数据校正方法

    公开(公告)号:CN117848549A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311272560.8

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明提供一种感测数据校正系统以及感测数据校正方法。感测数据校正系统校正从在指尖组装有膜状的压力传感器的手套型的可穿戴传感器取得的感测数据,并具备校正感测数据的数据校正部。将三维正交坐标系中的三个坐标轴方向分别设为上下方向、压力传感器的长度方向以及压力传感器的宽度方向,压力传感器在上下方向上层叠一个柔性基板、一个片状的压敏元件以及一个保护膜。柔性基板的上表面与压敏元件的下表面之间、以及压敏元件的上表面与保护膜的下表面之间分别被粘合固定。数据校正部执行对在可穿戴传感器穿戴的初始从该可穿戴传感器取得的感测数据进行校正的感测数据校正处理。

    数字化系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113847942A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202110560613.0

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 本发明提供一种数字化系统,能够将精细作业的技能数字化。该系统设置有:第一传感器,其安装在作业工具,检测将作业工具按压了作业对象时的作业工具的变形;第二传感器,其检测在将作业工具按压了作业对象时施加给作业对象的力或施加给作业工具的力;以及计算机,其基于第一传感器取得的传感器值,计算作业工具与作业对象所成的角的角度,并基于第二传感器取得的传感器值,计算在按压了作业工具时施加给作业对象的力。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107658335B

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201710540955.X

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,以兼得高耐压和低通态电阻的高性能的垂直DMOSFET。公开的一种半导体装置具备规则地配置有多个单位元件的有源区域,该单位元件具备:沟道区域,其形成于半导体基板的表面,且具有第一导电型;源极区域,其具有与第一导电型不同的第二导电型,且与沟道区域相接地形成在半导体基板的表面;以及JFET区域,其在与源极区域相反的一侧与沟道区域相接地形成在半导体基板的表面,且具有第二导电型,该半导体装置的特征在于,上述沟道区域在半导体基板的表面上由第一沟道区域和杂质浓度比第一沟道区域高的第二沟道区域构成。

    运行管理系统以及运行管理方法

    公开(公告)号:CN108932597A

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201810160394.5

    申请日:2018-02-26

    Abstract: 本发明将能够配置物品的保管架的场地面积大面积化并提高物品保管效率。一种运行管理系统,保持包含各保管架的位置、各保管架的朝向以及搬运车的位置的信息的布局信息,并基于布局信息,在移动对象的保管架的当前所在地中的朝向与目的地中预定的朝向不一致的情况下,决定用于将移动对象的保管架的朝向从当前所在地中的朝向变更为目的地中预定的朝向的旋转方向以及旋转角度,搜索从当前所在地到目的地的移动路径使得至少包含一个在周围不存在阻碍保管架旋转的障碍物的能够旋转的格子,并控制搬运车使得经由搜索到的路径将移动对象的保管架从当前所在地搬运到目的地,并在能够旋转的格子中进行向决定的旋转方向的决定的旋转角度的旋转。

    半导体装置及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107658335A

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201710540955.X

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,以兼得高耐压和低通态电阻的高性能的垂直DMOSFET。公开的一种半导体装置具备规则地配置有多个单位元件的有源区域,该单位元件具备:沟道区域,其形成于半导体基板的表面,且具有第一导电型;源极区域,其具有与第一导电型不同的第二导电型,且与沟道区域相接地形成在半导体基板的表面;以及JFET区域,其在与源极区域相反的一侧与沟道区域相接地形成在半导体基板的表面,且具有第二导电型,该半导体装置的特征在于,上述沟道区域在半导体基板的表面上由第一沟道区域和杂质浓度比第一沟道区域高的第二沟道区域构成。

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