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公开(公告)号：CN113847942A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110560613.0
申请日：2021-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提供一种数字化系统，能够将精细作业的技能数字化。该系统设置有：第一传感器，其安装在作业工具，检测将作业工具按压了作业对象时的作业工具的变形；第二传感器，其检测在将作业工具按压了作业对象时施加给作业对象的力或施加给作业工具的力；以及计算机，其基于第一传感器取得的传感器值，计算作业工具与作业对象所成的角的角度，并基于第二传感器取得的传感器值，计算在按压了作业工具时施加给作业对象的力。
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公开(公告)号：CN1210809C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN00806903.4
申请日：2000-03-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L29/1054 , H01L29/7782 , H01L29/7848
Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合，提供一种具有低消耗电力下高速的场效应晶体管，利用形变施加层(2)将形变施加到形成场效应晶体管沟道的沟道形成层(1)上，使沟道中的载流子迁移率比无形变的沟道形成层材料大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1349662A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN00806903.4
申请日：2000-03-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L29/1054 , H01L29/7782 , H01L29/7848
Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合,提供一种具有低消耗电力下高速的场效应晶体管,利用形变施加层2将形变施加到形成场效应晶体管沟道的沟道形成层1上,使沟道中的载流子迁移率比无形变的沟道形成层材料大。
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公开(公告)号：CN113631901B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202080024412.2
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在作业检测判定系统中，以高精度来检测判定作业。一种作业检测判定系统，具有：手套，被佩戴于作业人员的手且具有对通过手对作业对象的接触而由手对作业对象施加的手动作的作业音进行检测的麦克风，对手动作的作业的压力进行检测的压力传感器，对手动作的移动进行检测的移动传感器，用于发送麦克风的音信号、压力传感器的压力信号、以及移动传感器的移动信号的发送部；接收部，接收从发送部被发送的音信号、压力信号、以及移动信号；作业判定部，使用音信号、压力信号、以及移动信号，进行作业人员的作业内容的检测判定；以及通知部，对作业判定部的判定结果进行通知。
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公开(公告)号：CN115307790A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210362656.2
申请日：2022-04-07
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 目的是提供一种能够减少误检测的压力传感器设备、其制造方法及作业管理系统。一种检测压力的压力传感器设备，具备：挠性基板母材(11)，具有柔软性；梳齿型电极(41、42)，在挠性基板母材(11)上的规定区域中形成并露出金属面；以及感压材料(21)，设在梳齿型电极(41、42)上，根据载荷而电阻值变化，在静态的状态下具有曲率。
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公开(公告)号：CN1716570A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510074318.5
申请日：2000-03-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L29/1054 , H01L29/7782 , H01L29/7848
Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合，提供一种半导体器件制造方法及其半导体器件，包括步骤：在半导体衬底上形成Si1－xGex形变施加层，其中0＜x＜1；在所述Si1－xGex形变施加层上生长形变Si层，从而在所述形变Si层和所述Si1－xGex形变施加层之间提供面内拉伸应变；对所述形变Si层的表面进行热氧化；将所述形变Si层的所述表面与一个支承衬底相互键合；在分离位置分离所述Si1－xGex形变施加层的至少一部分和大部分所述Si1－xGex形变施加层和一部分所述形变Si层；以及在所述位置分离内形成p－MOS晶体管和n－MOS晶体管的源、漏区。
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公开(公告)号：CN113631901A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024412.2
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在作业检测判定系统中，以高精度来检测判定作业。一种作业检测判定系统，具有：手套，被佩戴于作业人员的手且具有对通过手对作业对象的接触而由手对作业对象施加的手动作的作业音进行检测的麦克风，对手动作的作业的压力进行检测的压力传感器，对手动作的移动进行检测的移动传感器，用于发送麦克风的音信号、压力传感器的压力信号、以及移动传感器的移动信号的发送部；接收部，接收从发送部被发送的音信号、压力信号、以及移动信号；作业判定部，使用音信号、压力信号、以及移动信号，进行作业人员的作业内容的检测判定；以及通知部，对作业判定部的判定结果进行通知。
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