公开(公告)号：CN1016020B

公开(公告)日：1992-03-25

申请号：CN89103433.1

申请日：1988-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽各良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种经改进后具备高临界电流密度的氧化物超导体，包括一种具有类钙钛矿晶体结构的氧化物，其结构为含有Na、K、Rb、Cs或F中的一种原子的LnBa2Cu3O7，其中Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子。

公开(公告)号：CN1007480B

公开(公告)日：1990-04-04

申请号：CN88101032

申请日：1988-02-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西野寿一 ,  川边潮 ,  樽谷良信 ,  小南信也 ,  会田敏之 ,  深泽德海 ,  波田野睦子

IPC: H01L39/22 ,  H01L39/12

CPC classification number: H01L39/2496 ,  H01L39/225 ,  H01L39/228 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S505/70 ,  Y10S505/702 ,  Y10S505/703 ,  Y10S505/704 ,  H01L2924/00

Abstract: 超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba，Sr，Ca，Mg和Ra中的至少一种元素；选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素；Cu；和O。超导体晶体的C一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。

公开(公告)号：CN1015033B

公开(公告)日：1991-12-04

申请号：CN88100501

申请日：1988-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00

CPC classification number: H01L39/2419 ,  C04B35/4504 ,  H01L39/126 ,  Y10S505/729

Abstract: 一种具有高临界温度Tc的改进了的氧化物超导体，包括一种具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，其结构由下式表示：(BaxSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中，X≥0，Z≥0，0.1＜X+Z＜0.3，W＝0。以及0≤Y＜1；或0≤X≤1，0≤Z＜1，0＜W＜1和0≤Y＜1，0≤X+Z＜1。

公开(公告)号：CN86101082B

公开(公告)日：1988-12-28

申请号：CN86101082

申请日：1986-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之 ,  度部勇人 ,  川濑进

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/28

CPC classification number: H01L29/515 ,  H01L29/42372

Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜：下面是由如Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等组成的高熔点金属薄膜；上层是含Ｓｃ2Ｏ3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。

公开(公告)号：CN88101032A

公开(公告)日：1988-09-21

申请号：CN88101032

申请日：1988-02-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西野寿一 ,  川边潮 ,  樽谷良信 ,  小南信也 ,  会田敏之 ,  深泽德海 ,  波田野睦子

IPC: H01L39/22 ,  H01L39/12

CPC classification number: H01L39/2496 ,  H01L39/225 ,  H01L39/228 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S505/70 ,  Y10S505/702 ,  Y10S505/703 ,  Y10S505/704 ,  H01L2924/00

Abstract: 超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba，Sr，Ca，Mg和Ra中的至少一种元素；选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素；Cu；和O。超导体晶体的G一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。

公开(公告)号：CN1013158B

公开(公告)日：1991-07-10

申请号：CN89103432.3

申请日：1988-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  C30B9/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种用助熔剂制备复合氧化物超导体单晶的方法，所用原材料为La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系(M为Sr、Ba或Ca)的复合氧化物多晶或化学计量成分比与所述复合氧化物的组成成分相似的混合物作原材料，所用助熔剂为CuO。

公开(公告)号：CN1038719A

公开(公告)日：1990-01-10

申请号：CN89103432.3

申请日：1989-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种优于常规的熔融方法的氧化物超导体的制备方法。用从La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系的多晶中选出的至少一种成分制备原材料，用熔点低于CuO的材料作助熔剂溶解上述原材料，由上述饱和助熔剂溶液生长复合氧化物的单晶。用这种方法能得到尺寸合适的基本没有晶格紊乱和内应变的单晶和单晶薄膜。

公开(公告)号：CN85104881A

公开(公告)日：1987-01-07

申请号：CN85104881

申请日：1985-06-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之

IPC: H01J1/13

Abstract: 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极，在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层。此薄层由高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔点金属与Sc及Sc的氧化物共同组成，该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料，再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄层，所以，由Ba、Sc和O组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。

公开(公告)号：CN1038539A

公开(公告)日：1990-01-03

申请号：CN89103433.1

申请日：1989-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽各良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种至少具有CuO6八面体的CuO5五面体中之一的氧化物超导体，其中A3Cu3O7型氧化物超导体中包含Na，K，Rb，Cs或F原子。可利用助熔剂法制备复合氧化物超导体的单晶。

公开(公告)号：CN85104881B

公开(公告)日：1988-12-21

申请号：CN85104881

申请日：1985-06-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/28

Abstract: 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极，在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层，此薄层由高熔点金属和Ｓｃ（或Ｓｃ的氧化物）或者由高熔点金属与Ｓｃ及Ｓｃ的氧化物共同组成，该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料，再加上形成了含Ｓｃ或Ｓｃ的氧化物的薄层，所以，由Ｂａ、Ｓｃ和Ｏ组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。