公开(公告)号：CN86101082A

公开(公告)日：1986-08-20

申请号：CN86101082

申请日：1986-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之 ,  渡部勇人 ,  川濑进

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/20

CPC classification number: H01L29/515 ,  H01L29/42372

Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极颗粒表面至少有两层薄膜：下层是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜；下层是含Sc2O3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极颗粒是用电子发射材料浸渍难熔多孔主体而制成。本发明也涉及有此电极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。

公开(公告)号：CN86101082B

公开(公告)日：1988-12-28

申请号：CN86101082

申请日：1986-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之 ,  度部勇人 ,  川濑进

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/28

CPC classification number: H01L29/515 ,  H01L29/42372

Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜：下面是由如Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等组成的高熔点金属薄膜；上层是含Ｓｃ2Ｏ3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。