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公开(公告)号:CN86101082B
公开(公告)日:1988-12-28
申请号:CN86101082
申请日:1986-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/515 , H01L29/42372
Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极,其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜:下面是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜;上层是含Sc2O3的高熔点金属层,并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。
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公开(公告)号:CN85104881B
公开(公告)日:1988-12-21
申请号:CN85104881
申请日:1985-06-26
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极,在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层,此薄层由高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔点金属与Sc及Sc的氧化物共同组成,该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料,再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄层,所以,由Ba、Sc和O组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。
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公开(公告)号:CN86101082A
公开(公告)日:1986-08-20
申请号:CN86101082
申请日:1986-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/515 , H01L29/42372
Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极,其特点是在浸渍阴极颗粒表面至少有两层薄膜:下层是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜;下层是含Sc2O3的高熔点金属层,并覆盖于下层之上。浸渍阴极颗粒是用电子发射材料浸渍难熔多孔主体而制成。本发明也涉及有此电极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。
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