浸渍阴极
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN86101082B

    公开(公告)日:1988-12-28

    申请号:CN86101082

    申请日:1986-02-06

    CPC classification number: H01L29/515 H01L29/42372

    Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极,其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜:下面是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜;上层是含Sc2O3的高熔点金属层,并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。

    电子管阴极
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1043548C

    公开(公告)日:1999-06-02

    申请号:CN91110658.8

    申请日:1991-10-05

    CPC classification number: H01J1/20

    Abstract: 本发明改进了电子管阴极的质量的稳定性。在该阴极中钪酸钡分布并包含入在基金属表面上的碱土金属氧化层中,使用的钪酸钡粒子形状和平均尺寸与用来形成碱土金属氧化物的碳酸盐类似,同时使钪酸钡在碱土金属氧化物层中的浓度在接近基金属表面处为零,避免了长期工作下电子发射特性的变坏。

    浸渍阴极
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN85104881B

    公开(公告)日:1988-12-21

    申请号:CN85104881

    申请日:1985-06-26

    Abstract: 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极,在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层,此薄层由高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔点金属与Sc及Sc的氧化物共同组成,该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料,再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄层,所以,由Ba、Sc和O组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。

    浸渍阴极
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN86101082A

    公开(公告)日:1986-08-20

    申请号:CN86101082

    申请日:1986-02-06

    CPC classification number: H01L29/515 H01L29/42372

    Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极,其特点是在浸渍阴极颗粒表面至少有两层薄膜:下层是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜;下层是含Sc2O3的高熔点金属层,并覆盖于下层之上。浸渍阴极颗粒是用电子发射材料浸渍难熔多孔主体而制成。本发明也涉及有此电极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。

    电子管阴极
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1061489A

    公开(公告)日:1992-05-27

    申请号:CN91110658.8

    申请日:1991-10-05

    CPC classification number: H01J1/20

    Abstract: 本发明改进了电子管阴极的质量的稳定性。在该阴极中钪酸钡分布并包含入在基金属表面上的碱土金属氧化层中,使用的钪酸钡粒子形状和平均尺寸与用来形成碱土金属氧化物的碳酸盐类似,同时使钪酸钡在碱土金属氧化物层中的浓度在接近基金属表面处为零,避免了长期工作下电子发射特性的变坏。

    浸渍阴极
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN85104881A

    公开(公告)日:1987-01-07

    申请号:CN85104881

    申请日:1985-06-26

    Abstract: 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极,在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层。此薄层由高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔点金属与Sc及Sc的氧化物共同组成,该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料,再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄层,所以,由Ba、Sc和O组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。

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