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公开(公告)号:CN1038539A
公开(公告)日:1990-01-03
申请号:CN89103433.1
申请日:1989-05-25
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor: 长谷川晴弘 , 川辺潮 , 樽各良倍 , 深泽德海 , 会田敏之 , 高木一正
IPC: H01B12/00 , H01L39/12 , C04B35/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种至少具有CuO6八面体的CuO5五面体中之一的氧化物超导体,其中A3Cu3O7型氧化物超导体中包含Na,K,Rb,Cs或F原子。可利用助熔剂法制备复合氧化物超导体的单晶。
公开(公告)号:CN1016020B
公开(公告)日:1992-03-25
申请日:1988-01-30
IPC: H01B12/00 , C04B35/00
Abstract: 一种经改进后具备高临界电流密度的氧化物超导体,包括一种具有类钙钛矿晶体结构的氧化物,其结构为含有Na、K、Rb、Cs或F中的一种原子的LnBa2Cu3O7,其中Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子。