公开(公告)号：CN88100501A

公开(公告)日：1988-08-10

申请号：CN88100501

申请日：1988-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2419 ,  C04B35/4504 ,  H01L39/126 ,  Y10S505/729

Abstract: 一种高临界温度氧化物超导体，包括具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，并由下式表示：(BaXSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中0.1＜x+z＜0.3，W＝0，y≥0；或0≤x＜1，0≤z1，0＜w＜1，y≥0。一种至少具有CuO6八面体的CuO5五面体中之一的氧化物超导体，其中A3Cu3O7型氧化物超导体中包含Na，K，Rb，Cs或F原子。可利用助熔剂法制备复合氧化物超导体的单晶。

公开(公告)号：CN1015033B

公开(公告)日：1991-12-04

申请号：CN88100501

申请日：1988-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00

CPC classification number: H01L39/2419 ,  C04B35/4504 ,  H01L39/126 ,  Y10S505/729

Abstract: 一种具有高临界温度Tc的改进了的氧化物超导体，包括一种具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，其结构由下式表示：(BaxSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中，X≥0，Z≥0，0.1＜X+Z＜0.3，W＝0。以及0≤Y＜1；或0≤X≤1，0≤Z＜1，0＜W＜1和0≤Y＜1，0≤X+Z＜1。

公开(公告)号：CN1013158B

公开(公告)日：1991-07-10

申请号：CN89103432.3

申请日：1988-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  C30B9/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种用助熔剂制备复合氧化物超导体单晶的方法，所用原材料为La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系(M为Sr、Ba或Ca)的复合氧化物多晶或化学计量成分比与所述复合氧化物的组成成分相似的混合物作原材料，所用助熔剂为CuO。

公开(公告)号：CN1038719A

公开(公告)日：1990-01-10

申请号：CN89103432.3

申请日：1989-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种优于常规的熔融方法的氧化物超导体的制备方法。用从La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系的多晶中选出的至少一种成分制备原材料，用熔点低于CuO的材料作助熔剂溶解上述原材料，由上述饱和助熔剂溶液生长复合氧化物的单晶。用这种方法能得到尺寸合适的基本没有晶格紊乱和内应变的单晶和单晶薄膜。