公开(公告)号：CN1434374A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02160868.7

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河原尊之 ,  松崎望 ,  泽濑照美 ,  久保征治

IPC: G06F7/00 ,  H04L27/04

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7885

Abstract: 本发明的课题是在安装非易失性存储器单元和可变逻辑单元的半导体装置中实现低电压工作下的高速化。本发明的半导体装置具有非易失性存储器单元(8)，它具有可改写的多个非易失性存储单元；以及可变逻辑单元(3)，按照装载在多个存储单元中的逻辑构成定义数据决定逻辑功能。非易失性存储单元以选择MOS晶体管(第2MOS型晶体管)和存储器MOS晶体管(第1MOS型晶体管)的分离栅结构为前提，使选择MOS晶体管的栅绝缘耐压比存储器MOS晶体管的栅绝缘耐压低，或者，使选择MOS晶体管的栅绝缘膜比高耐压MOS晶体管(第4MOS型晶体管)的栅绝缘膜薄。可提高选择MOS晶体管的Gm，可充分地取出读出电流。

公开(公告)号：CN100397330C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN02160868.7

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河原尊之 ,  松崎望 ,  泽濑照美 ,  久保征治

IPC: G06F7/00 ,  H04L27/04

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7885

Abstract: 本发明的课题是在安装非易失性存储器单元和可变逻辑单元的半导体装置中实现低电压工作下的高速化。本发明的半导体装置具有非易失性存储器单元(8)，它具有可改写的多个非易失性存储单元；以及可变逻辑单元(3)，按照装载在多个存储单元中的逻辑构成定义数据决定逻辑功能。非易失性存储单元以选择MOS晶体管(第2MOS型晶体管)和存储器MOS晶体管(第1MOS型晶体管)的分离栅结构为前提，使选择MOS晶体管的栅绝缘耐压比存储器MOS晶体管的栅绝缘耐压低，或者，使选择MOS晶体管的栅绝缘膜比高耐压MOS晶体管(第4MOS型晶体管)的栅绝缘膜薄。可提高选择MOS晶体管的Gm，可充分地取出读出电流。