公开(公告)号：CN1041581C

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN94101411.8

申请日：1994-02-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶谷一彦 ,  堀口真志 ,  中込仪延 ,  堀陵一 ,  松本哲郎 ,  久保征治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/44 ,  G06F11/006 ,  G11C7/1045

Abstract: 将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息，来选择存储器功能的功能选择电路的半导体芯片密封在封装内，而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件，最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导存储器类型，从圆片工艺到组装步骤的过程都能变得相同，因此，可便于批量生产和生产控制。可在短期内提供具有符合用户技术规格的存储器功能的半导体存储器。

公开(公告)号：CN1115101A

公开(公告)日：1996-01-17

申请号：CN95101903.1

申请日：1995-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中村正行 ,  松本哲郎 ,  梶谷一彦

IPC: G11C11/40 ,  H01L27/10

Abstract: 一种半导体存储器，其存储器阵列带有一1MOS型存储器单元矩阵，其高速存储器阵列带有一3MOS型存储器单元矩阵，其中X系统选取高速存储器阵列的操作由地址储存电路和地址比较器执行，前者储存分配给写/读字线的X地址，后者比较存储于前者的数据和X系统地址信号。当高速存储器阵列中有数据时从其中输出读出信号，当字线具有的数据与其相同时把储存存储器阵列中的位线放大信号传送到高速存储器阵列以刷新高速存储器阵列。

公开(公告)号：CN1092898A

公开(公告)日：1994-09-28

申请号：CN94100573.9

申请日：1994-01-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶谷一彦 ,  高桥继雄 ,  大一义 ,  中村正行 ,  大鸟浩 ,  松本哲郎 ,  河原尊之

IPC: G11C21/00 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/4097 ,  G11C11/4091

Abstract: 一种采用对成对MOSFET特性偏差进行补偿的读出放大器的动态RAM，位线的寄生电容至少是存储单元的电容的20倍。每根位线被开关MOSFET分成两部分，需要时可以断开。电路中提供了许多组存储器矩阵，每一组包括一个开关MOSFET，用于互连与读出放大器相连的公共源极线，因此在它们之间可以对公共源极线进行循环充电。

公开(公告)号：CN1093201A

公开(公告)日：1994-10-05

申请号：CN94101411.8

申请日：1994-02-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶谷一彦 ,  堀口真志 ,  中込仪延 ,  堀陵一 ,  松本哲郎 ,  久保征治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/44 ,  G06F11/006 ,  G11C7/1045

Abstract: 将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息，来选择存储器功能的功能选择电路的半导体芯片密封在封装内，而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件，最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导体存储器类型，从圆片工艺到组装步骤的过程都能变得相同，因此，可便于批量生产和生产控制。可在短期内提供具有符合用户技术规格的存储器功能的半导体存储器。