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公开(公告)号：CN1323063A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01116984.2
申请日：1995-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法,包括步骤:(a)用第一杂质掺入半导体衬底;(b)用导电类型与第一杂质的导电类型相反的第二杂质掺入半导体衬底;(c)在掺有第一杂质和第二杂质的所述半导体衬底主平面上方形成外延层;(d)在外延层上方形成封顶薄膜;和(e)在步骤(d)之后,对上述半导体衬底热扩散处理,形成第一半导体区域和第二半导体区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1110073C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN95109607.9
申请日：1995-07-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/3215 , H01L21/324
CPC classification number: H01L27/0925 , H01L21/823807
Abstract: 在含有预定导电类型杂质的半导体衬底本体的主表面上形成一个外延层，它含有导电类型与前述杂质相同的杂质而杂质浓度和指定的一种前述杂质的浓度相同。其后，形成一个阱区，其导电类型与上述杂质相同而其杂质浓度沿上述外延层的深度逐渐降低。阱区形成有MISFET的栅隔离膜。
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公开(公告)号：CN1133494A
公开(公告)日：1996-10-16
申请号：CN95120527.7
申请日：1995-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239 , H01L21/205
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。
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公开(公告)号：CN1092402C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN95120527.7
申请日：1995-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239 , H01L21/205
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。
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公开(公告)号：CN1323058A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01116997.4
申请日：1995-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 一种制造半导体晶片的方法,包括步骤:在一半导体衬底基片的主表面上形成具有0.3μm到3μm厚度的外延层。
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公开(公告)号：CN1121643A
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：CN95109607.9
申请日：1995-07-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/3215 , H01L21/324
CPC classification number: H01L27/0925 , H01L21/823807
Abstract: 在含有预定导电类型杂质的半导体衬底本体的主表面上形成一个外延层，它含有导电类型与前述杂质相同的杂质而杂质浓度和指定的一种前述杂质的浓度相同。其后，形成一个阱区，其导电类型与上述杂质相同而其杂质浓度沿上述外延层的深度逐渐降低。阱区形成有MISFET的栅隔离膜。
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