-
公开(公告)号：CN110402480B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201880017000.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足‑1200·X+290≤Vpp≤‑1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。
-
公开(公告)号：CN110402480A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880017000.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足-1200·X+290≤Vpp≤-1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。
-
公开(公告)号：CN108027236A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054552.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 株式会社斯库林集团 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供一种在锂离子电池的制造工序中，以非接触的方式进行膜的膜厚检查的技术，该膜包括形成于集电体的活性物质材料。膜厚测量装置(1)具有：太赫兹波照射部(10)，向样品(9)照射太赫兹波(LT1)；反射波检测部(30A)，具有用于检测被样品(9)反射的太赫兹波(LT1)的反射波(LT3)的光传导开关(34A)。膜厚测量装置(1)具有：时间差获取模块(509)，获取由反射波检测部(30A)检测出的反射波(LT3)中的表面反射波(LT31)与界面反射波(LT32)到达光传导开关(34A)的时间差(Δt)，该表面反射波(LT31)是被样品(9)的活性物质膜(91)的表面反射的波，该界面反射波(LT32)是被样品(9)的活性物质膜(91)与集电体(93)的界面反射的波；膜厚计算部(511)，基于时间差(Δt)及活性物质膜(91)的折射率(nS)来计算活性物质膜(91)的膜厚(d)。
-
公开(公告)号：CN108027236B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201680054552.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 株式会社斯库林集团 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供一种在锂离子电池的制造工序中，以非接触的方式进行膜的膜厚检查的技术，该膜包括形成于集电体的活性物质材料。膜厚测量装置(1)具有：太赫兹波照射部(10)，向样品(9)照射太赫兹波(LT1)；反射波检测部(30A)，具有用于检测被样品(9)反射的太赫兹波(LT1)的反射波(LT3)的光传导开关(34A)。膜厚测量装置(1)具有：时间差获取模块(509)，获取由反射波检测部(30A)检测出的反射波(LT3)中的表面反射波(LT31)与界面反射波(LT32)到达光传导开关(34A)的时间差(Δt)，该表面反射波(LT31)是被样品(9)的活性物质膜(91)的表面反射的波，该界面反射波(LT32)是被样品(9)的活性物质膜(91)与集电体(93)的界面反射的波；膜厚计算部(511)，基于时间差(Δt)及活性物质膜(91)的折射率(nS)来计算活性物质膜(91)的膜厚(d)。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.035 seconds)
