公开(公告)号：CN110402480B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201880017000.9

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  株式会社斯库林集团

Inventor： 堀胜 ,  谷出敦 ,  堀越章 ,  中村昭平 ,  高辻茂 ,  河野元宏 ,  木濑一夫

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足‑1200·X+290≤Vpp≤‑1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。

公开(公告)号：CN110402480A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017000.9

申请日：2018-02-28

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  株式会社斯库林集团

Inventor： 堀胜 ,  谷出敦 ,  堀越章 ,  中村昭平 ,  高辻茂 ,  河野元宏 ,  木濑一夫

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足-1200·X+290≤Vpp≤-1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。