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公开(公告)号:CN108257890A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201711404713.4
申请日:2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/2686 , H01L21/67017 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67703 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供一种在更短时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。基板处理装置(10)具备基板保持台(1)、紫外线照射机构(2)、筒构件(3)和气体供给机构(41、42)。紫外线照射机构以隔着作用空间(H1)与基板(W1)相对的方式配置,并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面1b)的内表面(3a),在内表面中的与侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个开口部(31a)。气体供给机构(42)经由至少一个开口部,向基板保持台(1)的侧表面(1b)和筒构件(3)的内表面(3a)之间的空间供给气体。气体供给机构(41)向基板和紫外线照射机构(2)之间的作用空间(H1)供给气体。
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公开(公告)号:CN108172529A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201711237826.X
申请日:2017-11-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供能抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和装置。基板处理方法对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理,共同蚀刻处理具有:蚀刻工序,通过向共同配管供给第一液温的蚀刻液,并从喷嘴喷出蚀刻液,对基板进行蚀刻;高温液体喷出工序,在蚀刻工序之后向共同配管供给具有高于第一液温的液温的高温液体,并从喷嘴喷出高温液体,基板处理方法还包括配管升温工序,在配管升温工序中,在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前,使共同配管的管壁升温至高于第一液温的规定的第二液温,在各共同蚀刻处理中,在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使共同配管的管壁降温的工序。
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公开(公告)号:CN108028192A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680054020.4
申请日:2016-09-13
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法,使用处理液处理被保持为水平姿势的基板,所述基板处理方法包括置换工序,在该置换工序中,将附着于所述基板的上表面的处理液置换为表面张力低于该处理液的表面张力的低表面张力液体,所述置换工序执行如下工序:中央部喷出工序,从配置于所述基板的上方的第一低表面张力液体喷嘴向所述上表面的中央部喷出所述低表面张力液体;非活性气体供给工序,与所述中央部喷出工序并行执行,为了形成沿所述上表面流动的气流,向所述基板的上方供给非活性气体;以及周缘部喷出供给工序,与所述中央部喷出工序及所述非活性气体供给工序并行执行,从配置于所述基板的上方的第二低表面张力液体喷嘴向所述上表面的周缘部喷出所述低表面张力液体。
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公开(公告)号:CN115692253A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202210890401.3
申请日:2022-07-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。各分支配管具有供环境气体从主配管流入的内部空间。下游闸板设于各分支配管中的比上游闸板靠下游侧的位置,开闭分支配管。上游切换部件在上游空间允许外部环境气体的流入的状态以及上游空间禁止外部环境气体的流入的状态之间切换上游空间的状态。下游切换部件在下游空间允许外部环境气体的流入的状态以及下游空间禁止外部环境气体的流入的状态之间切换下游空间的状态。
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公开(公告)号:CN106952858B
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201610864314.5
申请日:2016-09-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明的基板保持旋转装置包括:施力单元,将各可动销的所述支撑部置于所述保持位置,驱动用磁石,与各可动销对应地安装,开放磁石,以非旋转状态设置,并形成磁场产生区域,所述磁场产生区域是随着所述旋转台的旋转而旋转的各可动销所能够通过的规定的磁场产生区域,并被设置为沿着所述旋转台的旋转方向错开且仅使与多个可动销中的一部分可动销对应的驱动用磁石能够通过,并且所述开放磁石向通过该磁场产生区域的所述可动销的驱动用磁石赋予斥力或引力,在由所述施力单元按压至所述保持位置的该可动销的所述支撑部产生反抗该按压力而指向所述开放位置的力。
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公开(公告)号:CN107104074A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710080441.0
申请日:2017-02-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/687
Abstract: 一种包括旋转台和基板旋转保持装置的基板处理装置和基板处理方法。基板旋转保持装置设置成与旋转台一同绕沿铅垂方向的旋转轴线旋转且包括将基板水平地支撑的多个支撑销,支撑销包括具有支撑部的可动销,支撑部设置为可在与基板周缘部抵接的抵接位置与比抵接位置远离旋转轴线的开放位置间移动;基板处理装置还包括驱动用磁铁,其与可动销对应设置且在旋转台的径向上具有规定的磁极方向;按压用磁铁,具有在其与驱动用磁铁之间提供磁吸引力或磁排斥力的磁极,该磁吸引力或者该磁排斥力使支撑部推向抵接位置而使支撑部按压于基板的周缘部;按压力变动单元,其随着旋转台的旋转,将支撑部按压基板的周缘部的按压力大小保持为大于零的同时使大小变动。
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公开(公告)号:CN108257890B
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN201711404713.4
申请日:2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在更短时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。基板处理装置(10)具备基板保持台(1)、紫外线照射机构(2)、筒构件(3)和气体供给机构(41、42)。紫外线照射机构以隔着作用空间(H1)与基板(W1)相对的方式配置,并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面1b)的内表面(3a),在内表面中的与侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个开口部(31a)。气体供给机构(42)经由至少一个开口部,向基板保持台(1)的侧表面(1b)和筒构件(3)的内表面(3a)之间的空间供给气体。气体供给机构(41)向基板和紫外线照射机构(2)之间的作用空间(H1)供给气体。
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公开(公告)号:CN107017180B
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN201610865262.3
申请日:2016-09-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 基板保持旋转装置包括将各可动销的支撑部施力至开放位置和保持位置中的一位置的施力单元,与各第一可动销组对应安装且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向磁极方向相同的第一驱动用磁铁、与各第二可动销组对应安装且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向与第一驱动用磁铁的磁极方向相反的第二驱动用磁铁、设置为非旋转状态且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向具有与第一驱动用磁铁之间赋予斥力或引力的磁极方向,由斥力或引力将第一可动销组的支撑部施力至另一位置的第一移动磁铁、设置为非旋转状态且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向具有在与第二驱动用磁铁之间赋予斥力或引力的磁极方向,由斥力或引力将第二可动销组的支撑部施力至另一位置的第二移动磁铁。
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公开(公告)号:CN107017180A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201610865262.3
申请日:2016-09-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 基板保持旋转装置包括将各可动销的支撑部施力至开放位置和保持位置中的一位置的施力单元,与各第一可动销组对应安装且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向磁极方向相同的第一驱动用磁铁、与各第二可动销组对应安装且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向与第一驱动用磁铁的磁极方向相反的第二驱动用磁铁、设置为非旋转状态且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向具有与第一驱动用磁铁之间赋予斥力或引力的磁极方向,由斥力或引力将第一可动销组的支撑部施力至另一位置的第一移动磁铁、设置为非旋转状态且在与沿旋转轴线的轴线正交的方向具有在与第二驱动用磁铁之间赋予斥力或引力的磁极方向,由斥力或引力将第二可动销组的支撑部施力至另一位置的第二移动磁铁。
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公开(公告)号:CN108028192B
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN201680054020.4
申请日:2016-09-13
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法,使用处理液处理被保持为水平姿势的基板,所述基板处理方法包括置换工序,在该置换工序中,将附着于所述基板的上表面的处理液置换为表面张力低于该处理液的表面张力的低表面张力液体,所述置换工序执行如下工序:中央部喷出工序,从配置于所述基板的上方的第一低表面张力液体喷嘴向所述上表面的中央部喷出所述低表面张力液体;非活性气体供给工序,与所述中央部喷出工序并行执行,为了形成沿所述上表面流动的气流,向所述基板的上方供给非活性气体;以及周缘部喷出工序,与所述中央部喷出工序及所述非活性气体供给工序并行执行,从配置于所述基板的上方的第二低表面张力液体喷嘴向所述上表面的周缘部喷出所述低表面张力液体。
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